静态随机存储器位线漏电流的补偿方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，包括：采集相邻两条位线的放电电流；控制所述相邻两条位线中放电电流较大的位线电压降低，和/或，控制所述相邻两条位线中放电电流较小的位线电压升高。本发明专利技术提供的静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，达到SA可探测电压时需要更少的时间，降低读工作时间，提高电路工作速度。在相同的读时钟窗口，SA可探测到更大的电压差。

Compensation method and device of bit line leakage current in SRAM

【技术实现步骤摘要】
静态随机存储器位线漏电流的补偿方法及装置
本专利技术涉及静态随机存储器位线漏电流的补偿
，尤其涉及一种静态随机存储器位线漏电流的补偿方法及装置。
技术介绍
静态随机存储器(SRAM)作为一种典型的存储结构已经普遍应用于逻辑大规模集成电路(LSI)。这是因为SRAM具有运行速度快、静态功耗低的优点，同时SRAM可采用同逻辑电路一样的制造工艺。SRAM作为逻辑LSI的重要组成部分将直接影响整个电路的性能和良率。随着电路规模越来越大，工艺节点越来越先进，将会给电路带来副作用，其中最大的一个问题是随着工艺节点的降低，位线漏电增加，漏电增加将会影响SRAM的运行，尤其是在读状态时位线的放电可导致读失效。在现有技术中，对位线漏电流的补偿方法主要有两种：一种是在SRAM单元中增加补偿管抵消SRAM单元与位线之间的漏电流；另一种是在读状态前用电容对位线漏电流进行采样，在读过程时再补偿给位线。然而在SRAM单元中增加补偿管将增加SRAM单元的面积，采用电容补偿则增加位线的负载电容，同时需要电流采样时序，影响读出速率。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，其特征在于，包括：/n采集相邻两条位线的放电电流；/n控制所述相邻两条位线中放电电流较大的位线电压降低，和/或，控制所述相邻两条位线中放电电流较小的位线电压升高。/n

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，其特征在于，包括：
采集相邻两条位线的放电电流；
控制所述相邻两条位线中放电电流较大的位线电压降低，和/或，控制所述相邻两条位线中放电电流较小的位线电压升高。


2.如权利要求1所述静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，其特征在于，所述采集相邻两条位线的放电电流包括：
采用电压采样电路镜像两条位线上的电压值，并计算所述电压值随时间的变化速率。


3.如权利要求2所述静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，其特征在于，所述控制所述相邻两条位线中放电电流较大的位线电压降低包括：
所述电压采样电路将采集电压值随时间的变化速率发送至信号控制电路，所述信号控制电路依据所述电压值随时间的变化速率向电压反馈电路发送降低电压的信号，所述电压反馈电路依据所述降低电压的信号控制所述放电电流较大的位线电压降低。


4.如权利要求2所述静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，其特征在于，所述控制所述相邻两条位线中放电电流较小的位线电压升高包括：
所述电压采样电路将采集电压值随时间的变化速率发送至信号控制电路，所述信号控制电路依据所述电压值随时间的变化速率向电压反馈电路发送升高电压的信号，所述电压反馈电路依据所述升高电压的信号控制所述放电电流较小的位线电压升高。


5.如权利要求1所述静态随机存储器位线漏电流的补偿方法，其特征在于，所述采集相邻两条位线的放电电流之前还包括：
将所述相邻两条位线预充至高电位；

【专利技术属性】
技术研发人员：翟永成，霍杰，
申请(专利权)人：深圳市紫光同创电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44