电源电路制造技术

本发明专利技术提供一种电源电路，能够抑制电源电压相对于高频信号的包络线的跟踪精度的下降。电源电路(10)向对高频信号(RFin)进行放大的功率放大器(20)供给可变电压(Vver)，该电源电路(10)具备：晶体管(12)，在集电极或漏极从固定电压源(30)被供给固定电压(Vcc)，在基极或栅极被输入追踪了高频信号的包络线的包络线信号(Ev)，从发射极或源极输出与包络线信号(Ev)相应的可变电压(Vver)；和电流检测用电阻(13)，电连接在固定电压源(30)与晶体管(12)的集电极或漏极之间。

【技术实现步骤摘要】
电源电路
本专利技术涉及电源电路。
技术介绍
近年来，作为搭载于便携式电话、智能电话等移动体通信终端的功率放大器的高效率化技术，采用了包络线跟踪(包络线追踪，ET：EnvelopeTracking)方式的功率放大模块有所增加。所谓包络线跟踪方式，是指根据高频信号的包络线的振幅来控制电源电压的振幅，由此减少在以固定电压进行动作时产生的功率的损耗，实现高效率化的高频放大技术，特别是，对于高功率动作时的功率附加效率的提高是有效的。例如，公开了如下结构，即，在采用了包络线跟踪方式的功率放大模块的电源电路中，使用线性放大器来驱动功率放大器(例如，非专利文献1)。在对采用了包络线跟踪方式的功率放大模块中使用的功率放大器进行评价时，电源电压相对于高频信号的包络线的跟踪精度变得重要。例如，公开了如下结构，即，在向功率放大器的电源供给路径上设置的小电阻的两端装配探针，来监视功率放大器的电源电流(例如，非专利文献2)。在先技术文献非专利文献非专利文献1：“ALinearAssistedDC/DCConverterforEnvelopeTrackingandEnvelopeEliminationandRestorationApplications”、IEEETRANSACTIONSofPOWERELECTRONICS.VOL.27、NO.7、JULY2012非专利文献2：“EnvelopeTracking(ET)PACharacterisationWhitePaper”、nujirapushingtheenvelopeofPAefficiency在上述非专利文献2中，由于在向功率放大器的电源供给路径上设置的小电阻而产生电压降。此外，存在如下课题，即，由于探针的寄生电容、电源供给路径的寄生电感等，电源电压相对于高频信号的包络线的跟踪精度下降。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，实现一种能够抑制电源电压相对于高频信号的包络线的跟踪精度的下降的电源电路。用于解决课题的手段本专利技术的一个方式的电源电路向对高频信号进行放大的功率放大器供给可变电压，该电源电路具备：晶体管，在集电极或漏极从固定电压源被供给电压，在基极或栅极被输入追踪了所述高频信号的包络线的包络线信号，从发射极或源极输出与所述包络线信号相应的所述可变电压；和电流检测用电阻，电连接在所述固定电压源与所述晶体管的集电极或漏极之间。在该结构中，能够抑制与电流检测用电阻连接的探针的寄生电容、电源供给路径的寄生电感给晶体管造成的影响。由此，能够抑制可变电压相对于高频信号的包络线的跟踪精度的下降。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种能够抑制电源电压相对于高频信号的包络线的跟踪精度的下降的电源电路。附图说明图1是示出搭载了实施方式1涉及的电源电路的评价夹具的结构的图。图2是示出与实施方式1的结构不同的评价夹具的结构的图。图3是实施方式1涉及的结构以及图2所示的结构的频率-增益特性的示意图。图4是示出搭载了实施方式2涉及的电源电路的评价夹具的结构的图。图5是示出搭载了实施方式2的变形例涉及的电源电路的评价夹具的结构的图。符号说明1、1a、1b评价夹具；10、10a、10b电源电路；11前置放大器电路；12、12a、12b晶体管；13、13a、13b电流检测用电阻；20功率放大器；30固定电压源；100、100a、100b基板；200散热片；Ev包络线信号；L1、L2布线；OP运算放大器；R1、R2电阻；RFin高频信号(输入信号)；RFout高频信号(输出信号)；Tr1、Tr2、…、Trn-m、…、Trn单位晶体管。具体实施方式以下，基于附图对实施方式涉及的电源电路详细地进行说明。另外，本专利技术不受该实施方式限定。各实施方式为例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在实施方式2以后，省略关于与实施方式1共同的事项的记述，仅针对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果将不在每个实施方式中逐次提及。(实施方式1)图1是示出搭载了实施方式1涉及的电源电路的评价夹具的结构的图。图1所示的评价夹具1在对采用了包络线跟踪方式的功率放大模块中使用的功率放大器20进行评价时被使用。在评价夹具1连接评价用测定器(未图示)。评价夹具1从评价用测定器输入高频信号(输入信号)RFin、追踪了高频信号RFin的包络线的包络线信号Ev。此外，评价夹具1将高频信号(输出信号)RFout输出至评价用测定器。在评价夹具1的基板100上搭载作为评价对象的功率放大器20。此外，在评价夹具1的基板100上搭载向功率放大器20供给可变电压Vver的电源电路10。电源电路10例如也可以形成在由砷化镓(GaAs)半导体形成的半导体芯片(die)上。半导体芯片的材料不限定于GaAs，但通过使用带隙宽的GaAs等来构成电源电路10，从而可获得高耐压且高频特性优异的电源电路10。电源电路10从与评价夹具1连接的固定电压源30被供给固定电压Vcc，生成与从评价用测定器输入的包络线信号Ev相应的可变电压Vver并供给至功率放大器20。电源电路10具备：包含运算放大器OP以及电阻R1、R2等的前置放大器电路11、电流放大用的晶体管12、和用于对晶体管12中流过的电流进行检测的电流检测用电阻13。前置放大器电路11是用于基于包络线信号Ev来驱动晶体管12的构成部。在图1中，虽然例示了电压反馈型的前置放大器电路11，但前置放大器电路11只要是能够驱动晶体管12的结构即可，不限于图1所示的结构。并非由前置放大器电路11的结构来限定本公开。晶体管12例如可例示异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor：HBT)，但本公开不限定于此。例如，也可以为场效应晶体管(FieldEffectTransistor：FET)，但在本实施方式中，晶体管12优选是能够抑制高频频带中的增益的下降的HBT。以下，在没有特别提及的情况下，对晶体管12为HBT的结构进行说明。在本实施方式中，如图1所示，晶体管12是将多个(在图1所示的例子中为n(n为1以上的整数)个)单位晶体管Tr1、Tr2、…、Trn(也称为指)电并联连接而成的多指晶体管。所谓单位晶体管，是指构成晶体管的最小限度的结构。通过由多指晶体管构成晶体管12，从而能够在确保功率放大器20的驱动所需的电流量的同时减小每个单位晶体管Tr1、Tr2、…、Trn的电流量。具体地，每个单位晶体管Tr1、Tr2、…、Trn的电流量成为晶体管12中流过的电流量的1/n倍。晶体管12的指数、即单位晶体管Tr1、Tr2、…、Trn的数目n根据向功率放大器20供给的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源电路，向对高频信号进行放大的功率放大器供给可变电压，其中，/n所述电源电路具备：/n晶体管，在集电极或漏极从固定电压源被供给电压，在基极或栅极被输入追踪了所述高频信号的包络线的包络线信号，从发射极或源极输出与所述包络线信号相应的所述可变电压；和/n电流检测用电阻，电连接在所述晶体管的集电极或漏极与所述固定电压源之间。/n

【技术特征摘要】
20181226 JP 2018-2434771.一种电源电路，向对高频信号进行放大的功率放大器供给可变电压，其中，
所述电源电路具备：
晶体管，在集电极或漏极从固定电压源被供给电压，在基极或栅极被输入追踪了所述高频信号的包络线的包络线信号，从发射极或源极输出与所述包络线信号相应的所述可变电压；和
电流检测用电阻，电连接在所述晶体管的集电极或漏极与所述固定电压源之间。


2.根据权利要求1所述的电源电路，其中，
所述晶体管构成为电并联多个单位晶体管。


3.根据权利要求2所述的电源电路，其中，
在构成所述晶体管的全部的所述单位晶体管的集电极或漏极的连接点与所述固定电压源之间连接有一个所述电流检测用电阻。


4.根据权利要求2所述的电源电路，其中，
在构成所述晶体管的全部的所述单位晶体管中的一个单位晶体管的集电极或漏极与所述固定电压源之间连接有一个所述电流检测用电阻。


5.根据权利要求2所述的电源电路，其中，
在构成所述晶体管的全部的所述单位晶体管中的多个单位晶体管的集电极或漏极的连接点...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口悠真，松本秀俊，竹中干一郎，田中聪，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP