晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法技术

本发明专利技术涉及晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，更详细地说提供一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，在构成半导体沉积装置的一结构的管系统中使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间，以防止向碳化硅管内供应的硅烷气体与石英管接触，从而能够抑制因为石英管与硅烷气体接触导致石英管相变出现降低耐久性的现象。

【技术实现步骤摘要】
晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法
本专利技术涉及晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，更详细地说提供一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，在构成半导体沉积装置的一结构的管系统中使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间，以防止向碳化硅管内供应的硅烷气体与石英管接触，从而能够抑制因为石英管与硅烷气体接触导致石英管相变出现降低耐久性的现象。
技术介绍
沉积(Deposition)是指在半导体晶片上沉积薄膜厚度的所需分子或原子单位的材料以具有电性质的一连的过程。其中，化学气相沉积方法(CVD)是以赋予外部能量的蒸汽形态喷射通过气体的化学反应形成的粒子的方法，是在导体、绝缘体和半导体的薄膜沉积中都可使用的技术。尤其是，LPCVD(LowPressureCVD)是使腔室的真空度处于低压，通过高温的热能诱导反应，作为通过施加比APCVD更低的压力制作薄膜(thinfilm)的方式，主要使用于形成用作tr栅极层的薄膜的情况。在LPCVD的情况下，由于能够一次性处理大量的晶片，因此具有很大的优势。而且，台阶覆盖(stepcoverage)的特性优秀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，/n作为半导体制造用沉积装置的管结构，包括：/n碳化硅管，向安装在内部的半导体晶片上供应硅气体以沉积硅；/n石英管，相比于所述碳化硅管具有更宽的口径，并且围绕所述碳化硅管，以与所述碳化硅管之间的配置有空间；/n第一及第二门部，配置在所述碳化硅管与石英管的两端，至少可开关一端，并且密封地封闭所述两端；/n硅烷气体供应管，配置在所述第一门部的一侧向碳化硅管内部供应硅烷气体；/n氮气体供应管，配置在所述第一门部的另一侧，至少向所述碳化硅管和石英管之间供应氮气体；/n其中，通过所述氮气体供应管供应的氮气体进入所述碳化硅和石英管之间的空间向碳...

【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01731671.一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，
作为半导体制造用沉积装置的管结构，包括：
碳化硅管，向安装在内部的半导体晶片上供应硅气体以沉积硅；
石英管，相比于所述碳化硅管具有更宽的口径，并且围绕所述碳化硅管，以与所述碳化硅管之间的配置有空间；
第一及第二门部，配置在所述碳化硅管与石英管的两端，至少可开关一端，并且密封地封闭所述两端；
硅烷气体供应管，配置在所述第一门部的一侧向碳化硅管内部供应硅烷气体；
氮气体供应管，配置在所述第一门部的另一侧，至少向所述碳化硅管和石英管之间供应氮气体；
其中，通过所述氮气体供应管供应的氮气体进入所述碳化硅和石英管之间的空间向碳化硅管内部流动。


2.根据权利要求1所述的晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，其特征在于，
所述氮气体不仅供应于所述碳化硅管和石英管之间，也供应于石英管内部...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相浃，
申请(专利权)人：PT株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR