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本发明涉及晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，更详细地说提供一种晶片沉积用石英管的防止接触硅烷气体的方法，在构成半导体沉积装置的一结构的管系统中使氮气体流动于碳化硅管和石英管之间，以防止向碳化硅管内供应的硅烷气体与石英管接触，从而能够...
该专利属于P&T株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过P&T株式会社授权不得商用。

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