一种化合物及其应用、有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种化合物及其应用、有机电致发光器件，所述化合物具有式(I)的结构；所述化合物用作有机电致发光器件中的电子传输材料；所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极和插入在所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层中含有所述化合物。本发明专利技术提供的化合物具有较高的电子注入能力和电子迁移能力，用于机电致发光器件时，能够使器件具有较高的发光效率和较低的工作电压。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用、有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光
，特别涉及一种化合物及其应用、有机电致发光器件。
技术介绍
目前随着有机发光二极管(OLED)技术在显示和照明两大领域的不断推进，人们对于其核心材料的研究更加关注。作为核心材料，常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。在以往的文章和专利中已报道了传输能力强、稳定性高的各类型电子传输材料。一般来说，电子传输材料都是具有缺电子的含氮杂环基团的化合物，它们大多具有较高的电子亲和势，因而有较强的接受电子的能力，但是相对于空穴传输材料，常见的电子传输材料例如Alq3(八羟基喹啉铝)的电子迁移率要远低于空穴传输材料的空穴迁移率，因而在OLED器件中一方面会导致因载流子的注入和传输不均衡引起的空穴与电子的复合概率降低，从而降低器件的发光效率，另一方面具有较低电子迁移率的电子传输材料会导致器件的工作电压升高，从而影响功率效率，对能源的节约不利。CN104974334B公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式(I)的结构；/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式(I)的结构；



式(I)中，所述X1和X2各自独立地选自氮原子或CR4，且X1和X2中至少有一项为氮原子；
所述R4选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
式(I)中，所述R1和R2各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，或者所述R1、R2以及与所述R1和R2连接的芳香环相互稠合形成取代或未取代的C9～C30芳基或杂芳基；
式(I)中，所述R3选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
式(I)中，所述L选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
式(I)中，所述Ar选自取代或未取代的C3～C30杂芳基；
所述取代的取代基各自独立地选自卤素、氰基、C1～C12的烷基或环烷基、C2～C6的烯基或环烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1和R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基；
所述取代的取代基各自独立地选自卤素、氰基、C1～C12的烷基或环烷基、C2～C6的烯基或环烯基、C1～C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的一种；
优选地，所述R1和R2各自独立地选自取代或未取代的C6～C18的芳基；
优选地，所述R1和R2各自独立地选自苯基、萘基、菲基和芴基中的一种。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R3为氢。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L选自亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚菲基和亚三联苯基中的一种，优选亚苯基或亚联苯基，进一步优选亚苯基。


5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(II)或式(III)的结构；



式(II)或式(III)中，所述X1、X2、R1、R2、R3和Ar各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围；
式(III)中，所述R5选...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙恩涛，刘叔尧，冯嘉宁，吴俊宇，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11