【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶须生成炉，尤其是涉及一种连续制备碳化硅晶须的三室连 续晶须生成真空炉。技术背景目前，碳化硅纳米晶须主要应用于增强复合材料。近年来， 一维纳米结构 的碳化硅半导体材料(如碳化硅纳米晶须、纳米线、纳米棒和纳米纤维等)由 于具有独特的电学、光学及力学等性能，在蓝光发光二极管、大功率晶体管等 纳米光电子器件的制备、光催化和场电子发射阴极材料等许多领域都有广泛的 应用前景，再次受到许多学者的关注。碳化硅晶须的制备方法有碳纳米管模板生长法、碳热还原法、激光烧蚀 法、电弧放电法、流动催化剂法、微波法、高压釜法和热解有机前驱体法等。 目前，合成碳化硅晶须的最主要方法是以固相Si02和C为主要原料，在催化剂 的作用下，用常规电炉加热，通过高温碳热还原反应获得，或者采用稻壳法制 备。生产时将原料装入石墨坩埚内，然后将坩埚放入电炉炉膛，抽真空，在惰 性气体保护下，高温加热一段时间，反应结束后降温，再打开电炉，取出坩埚， 将混有碳化硅颗粒、碳颗粒或氧化硅的碳化硅晶须混合产物分离，得到晶须。 再次生产时，还要重复上述升温降温等步骤。这种生产方式称为间歇式生产。 间...
【技术保护点】
一种连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉，其特征在于：将真空炉依次分成三室，分别为装料准备室（３）、碳热还原反应室（８）和冷却卸料室（１３），装料准备室（３）、碳热还原反应室间用第一隔热密封门（６）隔开，碳热还原反应室（８）和冷却卸料室（１３）用第二隔热密封门（６）隔开；在装料准备室（３）上面的进料口装有进料盖（４）和第一压力表（２）和第一个三通阀门抽气／放气口（５），装料准备室（３）下面开有第一进气口（１９），装料准备室（３）与第一隔热密封门（６）平行的装料准备室（３）装有推杆（１）；碳热还原反应室（８）上下两侧装有加热炉（９），在碳热还原反应室（８）上面装第二压力...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建军，王耐艳，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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