一种硅基调制器和调制装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种硅基调制器和调制装置，包括：波导，所述波导包括：正掺杂区域、负掺杂区域、重正掺杂区域、重负掺杂区域、阴极和阳极；其中，正掺杂区域通过重正掺杂区域连接阴极，负掺杂区域通过重负掺杂区域连接阳极，正掺杂区域和负掺杂区域形成正‑负结设置在波导的中间，重正掺杂区域和重负掺杂区域设置在波导的两端，正掺杂区域和负掺杂区域之间的分界面的横截面为折线，所述折线包括n条线段，n大于或等于3。本发明专利技术实施例正掺杂区域和负掺杂区域之间的分界线为Z字型，使得正掺杂区域和负掺杂区域构成的正‑负结的耗尽区与光场的交叠区域面积更大，提高了调制效率，并且不需要对正‑负结的耗尽区进行重掺杂，减小了光学损耗。

A silicon based modulator and modulator

【技术实现步骤摘要】
一种硅基调制器和调制装置
本专利技术实施例涉及但不限于光通讯领域，尤指一种硅基调制器和调制装置。
技术介绍
随着计算机和通信技术的发展，现代社会对信息的需求量呈指数增长。光通讯技术作为以铜材料为基础构建的通信链路系统的有力竞争者发展迅猛。光通讯系统中的一个关键的器件是高速调制器，这种器件通常是利用外加电场改变材料的物理特性，进而使得器件的输出呈现出随外加电场变化的特性，实现数据信号在光载波上的加载。一种典型的调制器是利用铌酸锂材料的线性电光效应实现对光载波的调制；磷化铟和砷化镓等材料也被广泛用于制作高速调制器。硅光集成芯片由于其自身的低成本、尺寸紧凑等优势而在光通讯领域应用前景巨大。硅基高速调制器也逐渐获得了飞速的发展。目前，基于载流子色散效应的硅基调制器是最具应用前景的一种硅基高速调制器，这种方法通过外加的电场改变载流子的浓度分布，实现对材料折射率的改变，进而改变通过的光的相位。实现外加电场对光载波的调制。目前的硅基载流子色散高速调制器存在的问题主要是调制效率不高，对于调制区长度受限的调制器，需要较高的驱动电压才能实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基调制器，包括：/n波导，所述波导包括：/n正掺杂区域、负掺杂区域、重正掺杂区域、重负掺杂区域、阴极和阳极；/n其中，所述正掺杂区域通过所述重正掺杂区域连接所述阴极，所述负掺杂区域通过所述重负掺杂区域连接所述阳极，所述正掺杂区域和所述负掺杂区域形成正-负结设置在波导的中间，所述重正掺杂区域和所述重负掺杂区域设置在波导的两端，所述正掺杂区域和所述负掺杂区域之间的分界面的横截面为折线，所述折线包括n条线段，n大于或等于3。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基调制器，包括：
波导，所述波导包括：
正掺杂区域、负掺杂区域、重正掺杂区域、重负掺杂区域、阴极和阳极；
其中，所述正掺杂区域通过所述重正掺杂区域连接所述阴极，所述负掺杂区域通过所述重负掺杂区域连接所述阳极，所述正掺杂区域和所述负掺杂区域形成正-负结设置在波导的中间，所述重正掺杂区域和所述重负掺杂区域设置在波导的两端，所述正掺杂区域和所述负掺杂区域之间的分界面的横截面为折线，所述折线包括n条线段，n大于或等于3。


2.根据权利要求1所述的硅基调制器，其特征在于，其中，所述波导包括脊型波导和平板波导，所述脊型波导设置在所述平板波导的上方；
所述正掺杂区域设置在所述脊型波导的一端和所述平板波导的中间的一端，所述负掺杂区域设置在所述脊型波导的另一端和所述平板波导的中间的另一端；
所述重正掺杂区域设置在所述平板波导的一端，所述重负掺杂区域设置在所述平板波导的另一端。


3.根据权利要求1所述的硅基调制器，其特征在于，其中，
所述折线包括第一线段、第二线段和第三线段，所述第二线段连接所述第一线段和所述第三线段；
所述正掺杂区域由以下条件形成：在第一掺杂窗口以第一倾斜角度、第一旋转角度和第一注入能量注入第一剂量的受主杂质；在第二掺杂窗口以第二倾斜角度、第二旋转角度和第二注入能量注入第二剂量的受主杂质；
所述负掺杂区域由以下条件形成：在第三掺杂窗口以第三倾斜角度、第三旋转角度和第三注入能量注入第三剂量的受主杂质；在第四掺杂窗口以第四倾斜角度、第四旋转角度和第四注入能量注入第四剂量的施主杂质。


4.根据权利要求3所述的硅基调制器，其特征在于，其中，
所述第一掺杂窗口为所述波导中位于第一线段的延长线所在的平面左边的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：张森林，邵永波，李蒙，
申请(专利权)人：中兴光电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32