【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光学器件领域，尤其涉及一种光功率耦合器。
技术介绍
1、光功率耦合器是光子系统中用于分离和组合光的基本器件，随着光通信系统中信息容量的激增，片上互联方案对高带宽、低功耗和紧凑尺寸提出了更高的要求。在光子集成电路中，传统的定向耦合器和多模干涉耦合器对工艺变化和工作波长高度敏感，往往无法满足片上互联方案的高要求。因此需要一种工作波长敏感性低的光功率耦合器，用于支持宽波段光子系统的实现。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请实施例提供了一种光功率耦合器，能够提高应用该光功率耦合器的光模块的散热能力。
3、本申请实施例提供了一种光功率耦合器，包括：
4、硅基衬底，所述硅基衬底上制备有二氧化硅包层；
5、第一薄膜铌酸锂波导，包括依次连接的第一绝热耦合波导段和第一弯曲波导段；
6、第二薄膜铌酸锂波导，包括依次连接的第二绝热耦合波导段和第二弯曲波导段；
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【技术保护点】
1.一种光功率耦合器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一绝热耦合波导段的起始宽度与所述第二绝热耦合波导段的起始宽度不相同。
3.根据权利要求1或2所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一弯曲波导段的宽度等于所述第一绝热耦合波导段的末端宽度，所述第二弯曲波导段的宽度等于所述第二绝热耦合波导段的末端宽度。
4.根据权利要求1所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一弯曲波导段与所述第二弯曲波导段的宽度比例，与光功率分别在所述第一弯曲波导段和所述第二弯曲波导段输出的比例相关。
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种光功率耦合器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一绝热耦合波导段的起始宽度与所述第二绝热耦合波导段的起始宽度不相同。
3.根据权利要求1或2所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一弯曲波导段的宽度等于所述第一绝热耦合波导段的末端宽度，所述第二弯曲波导段的宽度等于所述第二绝热耦合波导段的末端宽度。
4.根据权利要求1所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一弯曲波导段与所述第二弯曲波导段的宽度比例，与光功率分别在所述第一弯曲波导段和所述第二弯曲波导段输出的比例相关。
5.根据权利要求1所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一绝热耦合波导段与所述第二绝热耦合波导段之间留有间隙，所述间隙沿所述光功率耦合器的输入端到输出端方向逐渐变小。
6.根据权利要求1所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一薄膜铌酸锂波导和所述第二薄膜铌酸锂波导均包括薄膜铌酸锂板条波导层和位于所述薄膜铌酸锂板条波导层上的波导脊形部分。
7.根据权利要求6所述的光功率耦合器，其特征在于，所述第一薄膜铌...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，沈百林，杨旻岳，邵永波，李蒙，张琦，王会涛，
申请(专利权)人：中兴光电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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