【技术实现步骤摘要】
钙钛矿薄膜的制备方法及太阳能电池
本专利技术涉及太阳电池
，特别是一种采用钙钛矿薄膜的制备方法及太阳能电池。
技术介绍
随着全球生态环境和能源短缺问题的日益严重，清洁可再生能源受到全世界的普遍重视，尤其是太阳能光伏技术。在现有的太阳能技术中，有机-无机杂化钙钛矿电池由于具有较高的光电转换效率及较低的制备成本，在近十年间引起了国内外研究人员的极大兴趣，并得到了快速发展。目前，该类型电池的光电转化效率已经达到23％以上，展示了极高的应用价值。目前，最常见的钙钛矿吸光材料是A3PbI3(A为正1价金属离子或有机阳离子、如甲胺MA、甲脒FA、铯Cs等中的一种或多种)，该材料的制备方法主要有四种：一步旋涂法、两步旋涂法、气相沉积法和共蒸发法。一步旋涂法，是将PbI2和AI等摩尔量溶解在r-丁内酯或二甲基甲酰胺(DMF)中，然后旋涂在基底材料上，在110℃退火1小时生成A3PbI3钙钛矿吸光薄膜材料。两步旋涂法，是将PbI2溶解在DMF中，然后旋涂于基底材料上(如电子传输层)上先旋涂制备PbI2薄膜层，然后在其表面旋涂AI...
【技术保护点】
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其通式为APbI
【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其通式为APbI3，A为正一价的有机离子或金属阳离子或有机离子与金属阳离子的组合离子，其特征在于，所述制备方法为：将碘化物AI与碘单质I2反应生成高活性的AI3-，利用高活性的AI3-与金属Pb通过快速氧化还原反应生成钙钛矿薄膜APbI3；其中碘化物AI、金属Pb均以薄膜的形式参与反应。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S1:在基底材料上沉积一层金属Pb薄膜；
S2:在金属Pb薄膜上沉积一层碘化物AI薄膜；
S3:在沉积完所述碘化物AI薄膜后，将所述基底材料整体转移到氮气与碘蒸气的混合气氛中，在30～60℃的温度下，发生快速氧化还原反应生成APbI3；
S4:反应结束后，退火处理，制得APbI3钙钛矿薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1是采用真空蒸发法在所述基底材料上沉积一层金属Pb薄膜，真空度为10-2～10-5Pa，所述基底材料的温度为5～20℃。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属Pb薄膜的厚度为20～100nm。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S2选择以下方法中...
【专利技术属性】
技术研发人员：许吉林，梁鹏，刘琦，王权，李静文，乔秀梅，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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