【技术实现步骤摘要】
接合体及半导体装置本申请是申请日为2016年9月7日、优先权日为2015年9月7日、中国专利申请号为201680051537.8、专利技术名称为“接合体及半导体装置”的分案申请。
本专利技术涉及接合体及半导体装置。
技术介绍
制造半导体装置时，为了使半导体元件与引线框等(支撑构件)接合，使用各种各样的接合材料。半导体装置中，在150℃以上的高温下工作的功率半导体、LSI等的接合中，作为接合材料使用高熔点铅钎料。近年，由于半导体元件的高容量化及省空间化，使其在175℃以上的高温下工作的要求有所提高，在高熔点铅钎料层形成的接合部处，耐热性及导热率不充分，难以确保连接可靠性。另一方面，随着RoHS管制强化，要求不含铅的接合材料。至此之前，研究了使用除铅钎料以外的材料的半导体元件的接合。例如，下述专利文献1中提出了使银纳米粒子低温烧结、形成烧结银层的技术。已知这种烧结银对动力循环的连接可靠性高。作为其他的材料，还提出了使铜粒子烧结、形成烧结铜层的技术。例如，下述专利文献2中作为用于将半导体元件与电极接合的接合...
【技术保护点】
1.一种接合体，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的烧结金属层，/n所述烧结金属层含有相对于所述第一构件或所述第二构件与所述烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，/n所述烧结金属层中的铜的含量以所述烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。/n
【技术特征摘要】
20150907 JP 2015-1760671.一种接合体，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的烧结金属层，
所述烧结金属层含有相对于所述第一构件或所述第二构件与所述烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，
所述烧结金属层中的铜的含量以所述烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
2.根据权利要求1所述的接合体，其中，所述第一构件及第二构件中的至少一个在与所述烧结金属层相接触的面上含有选自铜、镍、银、金及钯中的至少1种金属。
3.一种半导体装置，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的烧结金属层，所述第一构件及所述第二构件中的至少一个为半导体元件，其中，
所述烧结金属层含有相对于所述第一构件或所述第二构件与所述烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，
所述烧结金属层中的铜的含量以所述烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其芯片剪切强度为30MPa以上。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：中子伟夫，蔵渊和彦，江尻芳则，石川大，须镰千绘，川名祐贵，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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