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本发明涉及接合体及半导体装置，本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜...
该专利属于日立化成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立化成株式会社授权不得商用。

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