一种VCSEL封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种VCSEL封装结构，其中，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。本实用新型专利技术采用包围式的封装结构，使得VCSEL发射器的气密性强，可保证芯片的工作效率和使用寿命，并且采用铜片以及金属粉末填充料的散热形式，提高了芯片的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种VCSEL封装结构
本技术涉及VCSEL应用领域，更具体地说，它涉及的是一种VCSEL封装结构。
技术介绍
VCSEL(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，垂直表面激光发射器)有别于LED以及LD等其他光源，它具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉以及容易集成大面积阵列等优点，被广泛应用于光通信、光互联以及光存储等领域。目前，针对VCSEL比较常见的封装方式主要有以下两种：一种是TO封装，这种封装方式主要由TO管座、内座、透镜座、外套以及内部光学件组成，这种封装结构受制于内部空间和管脚数的限制，难以满足大功率激光器的封装要求，而且散热不好，导致工作效率不稳定；另外一种则是COB封装，这种封装方式是将芯片用导线或非导电胶粘附在PCB板上，然后采用胶水进行包封，这种封装方式存在光衰、寿命短以及可靠性差等缺陷。然而，VCSEL封装对气密性以及导热性有着很高的要求，现有的封装方式都很难解决这两点难题。因此，现有技术还有待改进与发展。
技术实现思路
本技术提供一种VCSEL封装结构，旨在通过设置包围式的封装结构，以解决现有封装结构中气密性差以及导热性差的技术问题。本技术解决技术问题所采用的技术方案如下：本技术还提供一种VCSEL封装结构，其中，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。进一步地，所述封装体的内部设置有用于容纳所述铜片基底和所述发光芯片的容纳腔。进一步地，所述铜片基底包括：正极铜片和负极铜片；所述正极铜片和所述负极铜片均设置在所述容纳腔的底部。进一步地，所述正极铜片的一端设置有用于增强塑胶粘合性的第一横向凸台，所述第一横向凸台与所述正极铜片一体成型。进一步地，所述负极铜片的一端设置有用于增强塑胶粘合性的第二横向凸台，所述第二横向凸台与所述负极铜片一体成型。进一步地，所述封装体的顶部设置有透光孔，所述透光孔设置在所述发光芯片的上方。进一步地，所述透光孔内设置有透光玻璃，所述透光玻璃镶嵌在所述透光孔内，且所述透光玻璃的底部通过透明胶与所述发光芯片粘合连接。进一步地，所述透光玻璃的内表面设置有用于汇聚光线的镜面，所述镜面倾斜设置于所述透光玻璃的内表面，且所述镜面与所述透光玻璃一体成型。进一步地，所述透光孔内设置有荧光胶，所述荧光胶填充在所述透光孔内。进一步地，所述容纳腔内设置有塑封料，所述塑封料内设置有金属粉末；所述铜片基底以及所述发光芯片通过所述塑封料封装于所述容纳腔内。本技术所采用的技术方案具有以下有益效果：本技术通过采用包围式的封装结构，使得VCSEL发射器的气密性强，可保证芯片的工作效率和使用寿命，并确保了光线仅从透光孔处透出，避免了光线外泄；并且通过采用铜片以及金属粉末填充料的散热形式，提高了芯片的散热性能。附图说明图1是本技术实施例中VCSEL封装结构的整体示意图。图2是本技术实施例中VCSEL封装结构的剖面示意图。图3是本技术实施例中铜片基底的结构示意图。图中：100、封装体；200、铜片基底；300、发光芯片；110、容纳腔；120、透光孔；210、正极铜片；220、负极铜片；211、第一横向凸台；221、第二横向凸台。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。实施例：如图1和图2所示，本实施例提供一种VCSEL封装结构，包括：封装体100、铜片基底200以及发光芯片300；其中，所述封装体100用于封装所述铜片基底200以及所述发光芯片300；所述发光芯片300焊接在所述铜片基底200的表面，且所述铜片基底200以及所述发光芯片300均封装于所述封装体100内。具体地，如图2所示，在本实施例中，所述封装体100的内部设置有容纳腔110，所述容纳腔110可用于容纳所述铜片基底200和所述发光芯片300；在所述容纳腔110内填充有塑封料(未图示)，所述塑封料内设置有金属粉末，所述金属粉末可用于提升所述塑封料的散热性能，从而便于所述发光芯片300散热。当进行封装时，将所述铜片基底200以及所述发光芯片300设置于所述容纳腔110的底部，并通过所述塑封料进行填充，以使得所述铜片基底200以及所述发光芯片300均封装于所述容纳腔110内。具体地，如图2所示，在本实施例中，所述铜片基底200包括：正极铜片210和负极铜片220；所述正极铜片210和所述负极铜片220均设置在所述容纳腔110的底部，且所述正极铜片210与所述负极铜片220相对设置。所述正极铜片210以及所述负极铜片220除了用于导电作用外，还作为基底材料，用于对所述发光芯片300进行散热；所述发光芯片300焊接于所述正极铜片210(或所述负极铜片220)上，并且，所述发光芯片300通过金线(或合金线)与所述负极铜片220(或所述正极铜片210)连接。进一步地，如图3所示，所述正极铜片210的一端设置有第一横向凸台211，所述第一横向凸台211与所述正极铜片210一体成型；所述负极铜片220的一端设置有第二横向凸台221，所述第二横向凸台221与所述负极铜片220一体成型，且所述第二横向凸台221与所述所述第一横向凸台211相对设置。所述第一横向凸台211可用于增强所述正极铜片210与所述塑封料的粘合度，从而加强所述正极铜片210的稳固性；所述第二横向凸台221可用于增强所述负极铜片220与所述塑封料的粘合度。具体地，如图1和图2所示，在本实施例中，所述封装体100的四周密封，即所述封装体100为包围式的封装结构，通过采用包围式的封装体结构，可使得封装结构的气密性更强，从而保证所述发光芯片300的工作效率和使用寿命；而且，在所述封装体100的顶部设置有透光孔120，所述透光孔120的位置对应所述发光芯片300的位置；通过设置所述透光孔120，可确保所述发光芯片300发出的光线仅从所述透光孔120透出，从而避免光线外泄。进一步地，在本实施例中，设置有两种透光形式，一种是在所述透光孔120安装透光玻璃(未图示)，另一种是在所述透光孔120内填充荧光胶(未图示)，以下分别对这两种透光形式进行说明：第一种：在所述透光孔120内设置所述透光玻璃，所述透光玻璃镶嵌在所述透光孔120内，且所述透光玻璃的底部通过透明胶与所述发光芯片300粘合连接。采用所述透光玻璃的透光方式时，可根据需要在所述透光玻璃的内表面设置镜面(未图示)，所述镜面倾斜设置于所述透光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种VCSEL封装结构，其特征在于，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。/n

【技术特征摘要】
1.一种VCSEL封装结构，其特征在于，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。


2.根据权利要求1所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述封装体的内部设置有用于容纳所述铜片基底和所述发光芯片的容纳腔。


3.根据权利要求2所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述铜片基底包括：正极铜片和负极铜片；所述正极铜片和所述负极铜片均设置在所述容纳腔的底部。


4.根据权利要求3所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述正极铜片的一端设置有用于增强塑胶粘合性的第一横向凸台，所述第一横向凸台与所述正极铜片一体成型。


5.根据权利要求4所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述负极铜片的一端设置有用于增强塑胶粘合性的第二横向凸台，所述第二横向凸台与所述负极铜片一体成型。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷平川，欧阳泽盛，张月强，唐双文，
申请(专利权)人：深圳市源磊科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44