一种VCSEL封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种VCSEL封装结构，其中，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。本实用新型专利技术采用包围式的封装结构，使得VCSEL发射器的气密性强，可保证芯片的工作效率和使用寿命，并且采用铜片以及金属粉末填充料的散热形式，提高了芯片的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种VCSEL封装结构
本技术涉及VCSEL应用领域，更具体地说，它涉及的是一种VCSEL封装结构。
技术介绍
VCSEL(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，垂直表面激光发射器)有别于LED以及LD等其他光源，它具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉以及容易集成大面积阵列等优点，被广泛应用于光通信、光互联以及光存储等领域。目前，针对VCSEL比较常见的封装方式主要有以下两种：一种是TO封装，这种封装方式主要由TO管座、内座、透镜座、外套以及内部光学件组成，这种封装结构受制于内部空间和管脚数的限制，难以满足大功率激光器的封装要求，而且散热不好，导致工作效率不稳定；另外一种则是COB封装，这种封装方式是将芯片用导线或非导电胶粘附在PCB板上，然后采用胶水进行包封，这种封装方式存在光衰、寿命短以及可靠性差等缺陷。然而，VCSEL封装对气密性以及导热性有着很高的要求，现有的封装方式都很难解决这两点难题。因此，现有技术还有待改进与发展。技术内容本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种VCSEL封装结构，其特征在于，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。/n

【技术特征摘要】
1.一种VCSEL封装结构，其特征在于，包括：用于封装内部件的封装体、设置于所述封装体内部且用于导电的铜片基底以及设置于所述铜片基底表面的发光芯片；所述铜片基底以及所述发光芯片均封装于所述封装体内。


2.根据权利要求1所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述封装体的内部设置有用于容纳所述铜片基底和所述发光芯片的容纳腔。


3.根据权利要求2所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述铜片基底包括：正极铜片和负极铜片；所述正极铜片和所述负极铜片均设置在所述容纳腔的底部。


4.根据权利要求3所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述正极铜片的一端设置有用于增强塑胶粘合性的第一横向凸台，所述第一横向凸台与所述正极铜片一体成型。


5.根据权利要求4所述的VCSEL封装结构，其特征在于，所述负极铜片的一端设置有用于增强塑胶粘合性的第二横向凸台，所述第二横向凸台与所述负极铜片一体成型。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷平川，欧阳泽盛，张月强，唐双文，
申请(专利权)人：深圳市源磊科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44