对准方法、对准系统及计算机可读存储介质技术方案

一种对准方法，包括：获取包括多组不同对准参数间对应关系的对应关系表，对准参数包括对准标记类型、激光类型及对准标记位置组；随机调用对应关系表中的一组对应关系形成一对准方案；及根据对准方案执行对准操作，其中如果对准操作的执行时间超过预设时间，则放弃当前执行的对准方案，再调用对应关系表中另一组对应关系形成新的对准方案并根据新的对准方案执行对准操作。本发明专利技术提高了对准操作的自动化程度，降低了重工的概率，减小了人力成本。本发明专利技术还提供一种对准系统及计算机可读存储介质。

【技术实现步骤摘要】
对准方法、对准系统及计算机可读存储介质
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种对准方法、对准系统及计算机可读存储介质。
技术介绍
光刻是集成电路制造中的一道关键的工艺。光刻工艺是指在光照作用下，借助光刻胶将掩模上的图形转移到晶圆上的制程。一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准、曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀及检测等工序。其中，对准是指掩模与晶圆的对准，以保证曝光后图形之间的准确套刻。因此，对准对图形转移的准确度起着至关重要的作用。一般对准系统通过分别形成于晶圆上与掩模上的配套的对准标记，来进行对准。对准系统使用某一波长范围内的激光照射在晶圆的对准标记上，激光在晶圆上发生衍射并通过投影透镜在掩模表面成像，进而得到所述像与掩模上的对准标记的位置偏差，调整晶圆的位置，使得所述位置偏差达到最小即完成对准。然而，在上述过程中，只要某一环节发生错误，对准系统可能进行报错并将晶圆退出(reject)对准系统，可能会一直运行至技术人员发现。虽然，技术人员会在运行之前，提出多个对准方案并通过测试寻找较优的对准方案，但仍难以避免错本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对准方法，用于将晶圆与掩模对准，所述晶圆被划分成多个阵列分布的曝光单元，每个所述曝光单元内形成有多种类型的对准标记，其特征在于，所述对准方法包括：/n获取包括多组不同对准参数间对应关系的对应关系表，所述对准参数包括对准标记类型、激光类型及对准标记位置组；/n随机调用所述对应关系表中的一组对应关系形成一对准方案；及/n根据所述对准方案执行对准操作，/n其中如果所述对准操作的执行时间超过预设时间，则放弃当前执行的所述对准方案，再调用所述对应关系表中另一组对应关系形成新的对准方案并根据所述新的对准方案执行对准操作。/n

【技术特征摘要】
20181220 US 62/7823631.一种对准方法，用于将晶圆与掩模对准，所述晶圆被划分成多个阵列分布的曝光单元，每个所述曝光单元内形成有多种类型的对准标记，其特征在于，所述对准方法包括：
获取包括多组不同对准参数间对应关系的对应关系表，所述对准参数包括对准标记类型、激光类型及对准标记位置组；
随机调用所述对应关系表中的一组对应关系形成一对准方案；及
根据所述对准方案执行对准操作，
其中如果所述对准操作的执行时间超过预设时间，则放弃当前执行的所述对准方案，再调用所述对应关系表中另一组对应关系形成新的对准方案并根据所述新的对准方案执行对准操作。


2.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述对准操作包括粗对准与精对准，所述粗对准在所述精对准之前，所述预设时间为所述粗对准的第一预设时间与所述精对准的第二预设时间之和。


3.如权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述对准操作包括粗对准与精对准，所述粗对准在所述精对准之前，所述预设时间包括所述粗对准的第一预设时间与所述精对准的第二预设时间，如果执行所述粗对准的时间超过所述第一预设时间，则放弃当前执行的所述对准方案，如果执行所述精对准的时间超过所述第二预设时间，则放弃当前执行的所述对准方案。


4.如权利要求2或3所述的对准方法，其特征在于，根据所述对准方案执行对准操作包括：
提供一晶圆，所述晶圆上形成有调用的所述对应关系中的对准标记类型，并将所述晶圆定位至晶圆工作台上；
提供一掩模，所述掩模上形成有调用的所述对应关系中的对准标记类型，并将所述掩模定位至掩模工作台上；
向所述晶圆上的调用的所述对准关系中的所述对准标记位置组发射调用的所述对准关系中的激光类型的激光束；
获取所述激光束透过所述掩模的光信号，及
根据获取的所述光信号调整所述晶圆工作台相对于所述掩模工作台的位置。

【专利技术属性】
技术研发人员：李其衡，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37