偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了偏置电路主要包括第一稳压电路，第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及电容，第一三极管的发射极与第五电阻连接，且第五电阻输出偏置电压至射频放大器；第二三极管的发射极通过第四电阻与第三电阻连接；第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第六电阻的一端连接；其中，还包括第二稳压电路，第二稳压电路包括第七电阻及第四三极管，外部一电压输入第七电阻的一端，第七电阻的另一端分别与第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极与第三三极管的基极连接。本发明专利技术的偏置电路在外部电压发生变化和环境温度发生变化时都能有比较强的稳定静态电流的能力。

【技术实现步骤摘要】
偏置电路
本专利技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种应用于射频放大器的偏置电路。
技术介绍
通常射频放大器电路包括输入匹配电路IMN，偏置电路BIAS，射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN，如图1所示，输入匹配电路IMN，射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN依次顺序连接，偏置电路BIAS同时与匹配电路IMN、射频功率放大器PA连接，且射频信号输入端口IN与输入匹配电路IMN连接，射频信号输出端口OUT与输出匹配电路IMN连接。其中所述偏置电路BIAS为射频功率放大器PA提供偏置电压。具体地，传统常用的偏置电路BIAS结构如图2所示，该偏置电路BIAS由三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，电容C1构成。其中对减小外部输入电压VCC1的波动引起的偏置点变化起主要作用的电路部分由三极管Q1、Q2、Q3，电阻R6、R2、R3、R4组成。采用传统偏置电路时，射频功率放大器PA的静态电流受外部供电电压和环境温度的影响比较显著，而射频功率放大器PA的静态电流对于其增益、P1dB、效率、线性度等指标影响较大，因此外部供电电压和环境温度发生变化都可能引起射频功率放大器PA性能的恶化。具体在图2所示方案中，唯一能在外部电压VCC1变化时，能对射频功率放大器PA静态电流起到稳定作用路径是：VCC1、Q2集电极、Q2发射极、Q3基极、Q3集电极、Q1基极、Q1发射极、最后再到偏置电路BIAS的输出端子B1。但是，外部电压VCC1的变化在三极管Q3基极上产生的同相变化量相当小，因此上述方案在外部电压VCC1变化时稳定射频功率放大器PA静态电流的的能力基本可以忽略；而且当环境温度发生变化时，上述方案完全不能对温度变化进行调节，因此在不同温度条件下其静态电池的稳定性可能会比较差。因此，有必要提供一种改进的应用于射频放大器的偏置电路，以使在外部电压发生变化和环境温度发生变化时都能有比较强的稳定静态电流的能力。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种应用于射频放大器的偏置电路，本专利技术的偏置电路在外部电压发生变化和环境温度发生变化时都能有比较强的稳定静态电流的能力。为实现上述目的，本专利技术提供一种偏置电路，其应用于射频放大器，主要包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及电容，所述第一三极管的发射极与第五电阻连接，且所述第五电阻输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第六电阻的一端连接，外部一电压输入所述第六电阻的另一端；外部另一电压通过第一电阻输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接；其中，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第七电阻及第四三极管，外部一电压输入所述第七电阻的一端，所述第七电阻的另一端分别与第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极与第三三极管的基极连接。较佳地，所述第四三极管为二极管连接方式。与现有技术相比，本专利技术偏置电路由于还包括第二稳压电路，使得所述偏置电路在外部电压VCC1变化时具有与外部电压VCC1变化所造成的射频功率放大器PA静态电流变化的相反趋势，从而可以达到稳定射频功率放大器PA静态电流的目的。且所述偏置电路利用三极管BE结导通电压随温度降低的原理来实现在温度变化时稳定射频功率放大器PA的静态电流。通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。附图说明图1为现有技术射频放大器的结构框图。图2为现有技术的偏置电路的结构图。图3为本专利技术的偏置电路的结构图。图4为现有技术与本专利技术的偏置电路输出电流的对比图。具体实施方式现在参考附图描述本专利技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，本专利技术提供了一种应用于射频放大器的偏置电路，本专利技术的偏置电路在外部电压发生变化和环境温度发生变化时都能有比较强的稳定静态电流的能力。请参考图3，图3为本专利技术的偏置电路的结构图。本专利技术的偏置电路应用于射频放大器，如图所示，所述偏置电路包括第一稳压电路与第二稳压电路。所述第一稳压电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6及电容C1；所述第一三极管Q1的发射极与第五电阻R5连接，且所述第五电阻R5通过输出节点B1输出偏置电压至所述射频放大器PA(如图1所示)；所述第二三极管Q2的发射极通过第四电阻R4与所述第三电阻R3连接；所述第三三极管Q3的发射极与第二电阻R2连接，其集电极与第六电阻R6的一端连接，外部一电压VCC1输入所述第六电阻的另一端；外部另一电压VCC2通过第一电阻R1输入所述第二三极管Q2及第三三极管Q3的集电极；所述电容C1与所述第一三极管Q1的基极连接。在本专利技术中，所述第一稳压电路结构及功能特征与现有技术的偏置电路(如图2所示)完全相同，在此不再细述，具体请参考图2与图3。所述第二稳压电路包括第七电阻R7及第四三极管Q4；所外部一电压VCC1输入所述第七电阻R7的一端，所述第七电阻R7的另一端分别与第四三极管Q4的集电极、第四三极管Q4的基极连接；所述第四三极管Q4的发射极与第三三极管Q3的基极连接。通过上述第二稳压电路，使得所述偏置电路在外部电压VCC1变化时具有与外部电压VCC1变化所造成的射频功率放大器PA静态电流变化的相反趋势，从而可以达到稳定射频功率放大器PA静态电流的目的。且所述偏置电路利用三极管BE结导通电压随温度降低的原理来实现在温度变化时稳定射频功率放大器PA的静态电流。作为本专利技术的一优选实施方式，所述第四三极管Q4为二极管连接方式；从而使得本专利技术更易于实现。下面结合图3描述本专利技术适用于射频放大器的偏置电路的第二稳压电路的工作原理：单由外部电压VCC1在节点A所产生的电压记为VA，VA可以简单等效成两个等效电阻对外部电压VCC1的分压后的输出电压，该分压比列记为r(r＝VA/VCC1)。由于第四三极管Q4为二极管连接方式，所以第四三极管Q4集电极到发射极的压降随外部电压VCC1的变化会保持一个比较稳定的值。因此，第四三极管Q4将外部电压VCC1的电压近乎平移到较低的一个电压值，该电压平移量比较稳定，受外部电压VCC1变化的影响较小。相比直接使用两个电阻对外部电压VCC1进行分压后得到的分压比例r会更大。使得，在外部电压VCC1变化量固定的情况下，提高VA的变化量，从而提高偏置电路在外部电压VCC1变化量更大时仍能有效地稳定射频放大器PA的静态电流。外部电压VCC1的变化量与VA的变化量同相，VA经过由第六电阻R6、第二电阻R2、第三三极管Q3构成的射极放大器放大后得到VB(节点B的电压)，VB的变化量与VA的变化量反相，VB经过由第一三极管Q1、第一电阻R1、第五电阻R5组成的射极跟随器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏置电路，其应用于射频放大器，主要包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及电容，所述第一三极管的发射极与第五电阻连接，且所述第五电阻输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第六电阻的一端连接，外部一电压输入所述第六电阻的另一端；外部另一电压通过第一电阻输入所述第二三极管及第三三极管的集电极；所述电容与所述第一三极管的基极连接；其特征在于，还包括第二稳压电路，所述第二稳压电路包括第七电阻及第四三极管，外部一电压输入所述第七电阻的一端，所述第七电阻的另一端分别与第四三极管的集电极、第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极与第三三极管的基极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种偏置电路，其应用于射频放大器，主要包括第一稳压电路，所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及电容，所述第一三极管的发射极与第五电阻连接，且所述第五电阻输出偏置电压至所述射频放大器；所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接；所述第三三极管的发射极与第二电阻连接，其集电极与第六电阻的一端连接，外部一电压输入所述第六电阻的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元鑫，张宗楠，吴杰，刘辉，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51