【技术实现步骤摘要】
偏置电路
本专利技术涉及射频微波领域,更具体地涉及一种应用于射频放大器的偏置电路。
技术介绍
通常射频放大器电路包括输入匹配电路IMN,偏置电路BIAS,射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN,如图1所示,输入匹配电路IMN,射频功率放大器PA及输出匹配电路OMN依次顺序连接,偏置电路BIAS同时与匹配电路IMN、射频功率放大器PA连接,且射频信号输入端口IN与输入匹配电路IMN连接,射频信号输出端口OUT与输出匹配电路IMN连接。其中所述偏置电路BIAS为射频功率放大器PA提供偏置电压。具体地,传统常用的偏置电路BIAS结构如图2所示,该偏置电路BIAS由三极管Q1、Q2、Q3,电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,电容C1构成。其中对减小外部输入电压VCC1的波动引起的偏置点变化起主要作用的电路部分由三极管Q1、Q2、Q3,电阻R6、R2、R3、R4组成。采用传统偏置电路时,射频功率放大器PA的静态电流受外部供电电压和环境温度的影响比较显著,而射频功率放大器PA的静态电流对于其增益、P1dB、效率、线性度等指标 ...
【技术保护点】
1.一种偏置电路,其应用于射频放大器,主要包括第一稳压电路,所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及电容,所述第一三极管的发射极与第五电阻连接,且所述第五电阻输出偏置电压至所述射频放大器;所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接;所述第三三极管的发射极与第二电阻连接,其集电极与第六电阻的一端连接,外部一电压输入所述第六电阻的另一端;外部另一电压通过第一电阻输入所述第二三极管及第三三极管的集电极;所述电容与所述第一三极管的基极连接;其特征在于,还包括第二稳压电路,所述第二稳压电路包括第七电 ...
【技术特征摘要】
1.一种偏置电路,其应用于射频放大器,主要包括第一稳压电路,所述第一稳压电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及电容,所述第一三极管的发射极与第五电阻连接,且所述第五电阻输出偏置电压至所述射频放大器;所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述第三电阻连接;所述第三三极管的发射极与第二电阻连接,其集电极与第六电阻的一端连接,外部一电压输入所述第六电阻的另一端...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘元鑫,张宗楠,吴杰,刘辉,
申请(专利权)人:四川和芯微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。