一种高压LDO电路制造技术

本发明专利技术属于电池管理技术领域，具体公开了一种低压差线性稳压器(LDO)电路，包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路，所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接，远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接，上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。该电路适用于所有单个高压电源供电的应用，可以把高压转换为适用于芯片内部的低压电路。

【技术实现步骤摘要】
一种高压LDO电路
本专利技术属于电池管理
，尤其涉及一种高压LDO电路。
技术介绍
节能和环保成为汽车工业发展的新目标，新一代电动汽车作为能源可多样化配置的新型交通工具，以其零排放、低噪声等优点，引起人们的普遍关注并得到了极大的发展。但制约电动汽车发展的问题依然是储能动力电池和应用技术，如何延长电池使用寿命、提高电池的能量效率和运行可靠性，是电动汽车能量管理系统必需解决的问题。电池管理系统主要通过对电池电压、电流和温度等参数进行测量，其中电池电压参数对于电池的安全性尤为重要，现有的单片集成的高压LDO电路由于面积较大、功耗大等因素，无法满足本电池管理系统的设计要求。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种高压LDO电路，包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路，所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接，远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接，上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。作为上述方案的进一步说明，所述偏置和启动电路包括第一P型DMOS管、第二P型DMOS管、第三P型DMOS管、第四P型DMOS管、第五P型DMOS管、第六P型DMOS管、第七P型DMOS管、第一N型DMOS管、第二N型DMOS管、第三N型DMOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、电平转换器、第一电阻；所述第一N型DMOS管的栅极和漏极、第二N型DMOS管的栅极、第三N型DMOS管的栅极、第四P型DMOS管的漏极均与第五N型MOS管的漏极连接；所述第一N型MOS管的栅极和漏极、第二N型MOS管的栅极、第三N型MOS管的栅极、第一N型DMOS管的源极均与第四N型MOS管的漏极连接；所述第二N型DMOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接；所述第三N型DMOS管的源极与第三N型MOS管的漏极连接；所述第四P型DMOS管的源极与第二P型MOS管的漏极连接；所述第五P型DMOS管的栅极和漏极、第三N型DMOS管的漏极、第三N型DMOS管的栅极、第七P型DMOS管的栅极均与第六P型DMOS管的漏极连接；所述第六P型DMOS管的栅极与电平转换器的输出端连接；所述第一N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极、第五N型MOS管的源极均与地连接。作为上述方案的进一步说明，所述上电复位电路包含第六N型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第二电阻、施密特触发器、反相器；所述第三P型MOS管的栅极、第三P型MOS管的漏极、第四P型MOS管的栅极均与第六N型MOS管的栅极和第六N型MOS管的漏极连接；所述第四P型MOS管的漏极与第二电阻的一端与施密特触发器的输入端分别连接；所述施密特触发器的输出端与反相器的输入端连接；所述第六N型MOS管的源极、第二电阻的另一端与地连接。作为上述方案的进一步说明，所述运算放大器电路包含第八P型DMOS管、第九P型DMOS管、第十P型DMOS管、第十一P型DMOS管、第十二P型DMOS管、第十三P型DMOS管、第四N型DMOS管、第五N型DMOS管、第六N型DMOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第七P型MOS管、第八P型MOS管、第九P型MOS管、第十P型MOS管、第十一P型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管、第九N型MOS管、第十N型MOS管、第十一N型MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第一PNP型晶体管、第二PNP型晶体管、第三PNP型晶体管；所述第五P型MOS管的漏极与第八P型DMOS管的源极连接；所述第八P型DMOS管的漏极、第九P型DMOS管的源极均与第十P型DMOS管的源极连接；所述第九P型DMOS管的漏极、第四N型DMOS管的栅极和漏极、第四N型MOS管的漏极均与第五N型DMOS管的栅极连接；所述第五N型DMOS管的漏极、第十P型DMOS管的漏极、第八N型MOS管的漏极、第七电阻的一端与第六N型DMOS管的栅极连接；所述第六N型DMOS管的漏极、第十二P型DMOS管的栅极和漏极、第十一P型MOS管的漏极均与第十三P型DMOS管的栅极连接；所述第七电阻的另一端与第一电容的一端连接；所述第十P型DMOS管的栅极、第三电阻的一端与第四电阻的一端连接；所述第六P型MOS管的栅极、第八P型MOS管的栅极和漏极、第九P型MOS管的源极均与第十P型MOS管的栅极连接；所述第七P型MOS管的栅极、第九P型MOS管的栅极和漏极、第十一N型MOS管的漏极均与第十一P型MOS管的栅极连接；所述第七P型MOS管的漏极、第十N型MOS管的栅极和漏极均与第十一N型MOS管的栅极连接；所述第十N型MOS管的源极与第一PNP型三极管的发射极连接；所述第十一N型MOS管的源极与第五电阻的一端连接；所述第五电阻的另一端与第二PNP型三极管的发射极连接；所述第六P型MOS管的漏极与第七P型MOS管的源极连接；所述第十P型MOS管的漏极与第十一P型MOS管的源极连接；所述第十一P型MOS管的漏极、第六电阻的一端均与第九P型DMOS管的栅极连接；所述第六电阻的另一端与第三PNP型三极管的发射极连接；所述第四N型DMOS管的源极、第七N型MOS管的源极、第五N型DMOS管的源极、第八N型MOS管的源极、第一电容的另一端、第六N型MOS管的源极、第四电阻的另一端、第九N型MOS管的源极、第二电容的另一端、第一PNP型三极管的基极和集电极、第二PNP型三极管的基极和集电极、第三PNP型三极管的基极和集电极均与地连接。本专利技术的有益效果：(1)本专利技术的偏置和启动电路为其它模块提供偏置电压和偏置电流，使它们工作在正常的工作区；(2)本专利技术的上电复位电路可以在LDO的输出达到设计阈值后，产生一个高电平信号，来关闭启动电路，使电路工作在正常的偏置点，并减小电路的功耗。(3)本专利技术的运算放大器电路可以将输出的电压经过电阻分压反馈到运算放大器的一端，与基准电压进行比较，当输出电压变化时比较反馈电压和基准电压，通过调节功率管的栅压，调节驱动电流的大小，使输出电压达到稳定。(4)本专利技术电路是一个结构简单、功耗低、电源抑制能力较强的高压LDO电路，适用于单个高压电源供电的应用。(5)传统的高压LDO电路的运算放大器的输入基准电压是由电源产生的一个零温度系数的电压，但在本设计中，运算放大器的输入基准电压由高压LDO电路的输出产生，形成两个闭环环路，因此在系统的稳定性方面有更高的设计要求；且降低了电路的静态功耗。附图说明图1：高压LDO电路；图2：高压LDO电路用于叠层锂离子电池监控系统的应用；图3：偏置和启动电路；图4：上电复位电路；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压LDO电路，其特征在于，包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路；所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接，远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接，上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压LDO电路，其特征在于，包含偏置和启动电路、上电复位电路、运算放大器电路；所述偏置和启动电路输出端与运算放大器输入端连接，远算放大器输出端与上电复位电路输入端连接，上电复位电路输出端与偏置和启动电路输入端连接。


2.如权利要求1所述的一种高压LDO电路，其特征在于，所述偏置和启动电路包括第一P型DMOS管、第二P型DMOS管、第三P型DMOS管、第四P型DMOS管、第五P型DMOS管、第六P型DMOS管、第七P型DMOS管、第一N型DMOS管、第二N型DMOS管、第三N型DMOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、电平转换器、第一电阻；
所述第一N型DMOS管的栅极和漏极、第二N型DMOS管的栅极、第三N型DMOS管的栅极、第四P型DMOS管的漏极均与第五N型MOS管的漏极连接；
所述第一N型MOS管的栅极和漏极、第二N型MOS管的栅极、第三N型MOS管的栅极、第一N型DMOS管的源极均与第四N型MOS管的漏极连接；
所述第二N型DMOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接；
所述第三N型DMOS管的源极与第三N型MOS管的漏极连接；
所述第四P型DMOS管的源极与第二P型MOS管的漏极连接；
所述第五P型DMOS管的栅极和漏极、第三N型DMOS管的漏极、第三N型DMOS管的栅极、第七P型DMOS管的栅极均与第六P型DMOS管的漏极连接；
所述第六P型DMOS管的栅极与电平转换器的输出端连接；
所述第一N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极、第五N型MOS管的源极均与地连接。


3.如权利要求1所述的一种高压LDO电路，其特征在于，所述上电复位电路包含第六N型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第二电阻、施密特触发器、反相器；
所述第三P型MOS管的栅极、第三P型MOS管的漏极、第四P型MOS管的栅极均与第六N型MOS管的栅极和第六N型MOS管的漏极连接；
所述第四P型MOS管的漏极与第二电阻的一端与施密特触发器的输入端分别连接；
所述施密特触发器的输出端与反相器的输入端连接；
所述第六N型MOS管的源极、第二电阻的另一端与地连接。


4.如权利要求1所述的一种高压LDO电路，其特征在于，所述运算放大器电路包含第八P型DMOS管、第九P型DMOS管、第十P型DMOS管、第十一P型DMOS管、第十二P型DMOS管、第十三P型DMOS管、第四N型DMOS管、第五N型DMOS管、第六N型DMOS管、第五P型M...

【专利技术属性】
技术研发人员：董磊，冯瑜，付静，李敏娟，
申请(专利权)人：西安航天民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61