反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种反射结构，包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。本发明专利技术还涉及一种所述反射结构的制备方法及包括有所述反射结构的波长转换装置。

【技术实现步骤摘要】
反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置
本专利技术涉及照明和投影
，尤其涉及一种反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置。
技术介绍
现有的半导体光源投影系统，将发光二极管或激光二极管等光源发射的激发光入射到波长转换装置的不同的波长转换材料上，产生波长大于该激发光的波长的不同颜色的受激光，如红色受激光、绿色受激光和蓝色受激光，然后将不同颜色的受激光合成一束光后，进行投影图像的显示。反射式波长转换装置主要包括基底以及形成于基底上的反射层。目前反射层常采用烧结银形式或者真空镀银形式。烧结银作为反射层容易吸附水汽、灰尘、与空气中的氧气发生反应等以影响反射效果。用真空镀膜方式制备的反射层与基板的附着力不高，现有技术为了确保波长转换装置的反射层与陶瓷基片的附着力，是在反射层与基片之间加镀透明介质过渡层，如SiO2，Al2O3、TiO2等，然而，介质层镀膜效率极低，影响批量生产效率；另外，介质层对光有一定的吸收，影响反射层的反射率。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种能解决上述问题的反射结构、反射结构的制备方法及波长转换装置。一种反射结构，其包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。本专利技术还涉及一种反射结构的制备方法。一种反射结构的制备方法，包括如下步骤：提供基片，对所述基片进行清洁处理；在溅射室中安放银靶材及清洁后的所述基片，所述基片具有第一温度及在第一溅射功率的条件下在其表面溅射金属银，形成第一镀银膜；所述基片具有第二温度及在第二溅射功率的条件下在所述第一镀银膜表面溅射金属银，形成第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。本专利技术还涉及一种波长转换装置。一种波长转换装置，包括：反射结构及波长转换层，所述反射结构是如上所述的反射结构，所述波长转换层形成在所述第二镀银膜的表面。与现有技术相比较，本专利技术提供的反射结构制备方法制备形成的反射结构包括基片以及形成在所述基片表面的反射膜，所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。在银膜的形成过程中，第一镀银膜的晶粒粒径较大，应力易于释放，从而增加与所述基片之间的附着力；第二镀银膜的晶粒粒径较小，能填补第一镀银膜的粒径之间的间隙，从而，第一镀银膜及第二镀银膜共同形成的反射膜与基片的附着力高、膜层致密度高，反射率高，也即本专利技术提供的波长反射装置能提高反射层与基片的附着力，又不降低反射层的反射率。附图说明图1为本专利技术第一实施例提供的反射结构的剖面图。图2为图1所示的反射结构的反射膜在电镜下的表面形貌图。图3A-3C为本专利技术第二实施例提供的一种反射结构的制作流程图。图4为本专利技术第二实施例提供的溅镀银形成的反射膜的发光强度与烧结银形成的反射膜的发光强度的对比图。图5是本专利技术第三实施例提供的波长转换装置的剖面图。主要元件符号说明反射结构1，11波长转换装置4基片10，101反射膜2第一镀银膜20第二镀银膜30波长转换层5如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图，对本专利技术提供的波长转换装置及其制备方法进一步的详细的说明。需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”或“安装于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。另外，连接即可以是用于固定作用也可以是用于电路连通作用。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。请参阅图1-2，图1为本专利技术提供的一种反射结构1。图2为图1所示的反射结构的反射膜在电镜下的表面形貌图。所述反射结构1包括基片10及形成在所述基片10表面的反射膜2。所述基片10可以为金属片或者陶瓷片。基片10为金属片时，可选导热率高的材质，譬如铜片、铝片等。基片10为陶瓷片时，可以选用氧化铝、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氮化硼或者氧化铍。基片10还可以选发光陶瓷。所述反射膜2包括依次形成于所述基片10表面的第一镀银膜20及第二镀银膜30。反射膜2具有较高的反射率，以保证光利用率；反射膜2还具有良好的导热性，保证导热效果。所述第一镀银膜20及第二镀银膜30均是通过以银作为靶材、以基片10作为衬底通过溅射的方式形成。形成所述第一镀银膜20时基片10的温度及溅射功率高于形成第二镀银膜30时基片10具有的温度及溅射功率，从而使所述第一镀银膜20的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜30的银颗粒的粒径范围。在本实施方式中，所述第一镀银膜20的银颗粒的粒径范围介于20-200nm。所述第二镀银膜30的银颗粒的粒径范围介于1-30nm。所述第一镀银膜20的厚度介于0.05-2μm，所述第二镀银膜30的厚度介于0.01-0.2μm。优选地，所述第一镀银膜20的厚度介于0.1-1μm，所述第二镀银膜30的厚度介于0.02-0.05μm。在高温、大功率条件下易生长出晶粒粒径较大的银膜。在高温、大功率条件下形成的第一镀银膜20的晶粒粒径较大，颗粒间间隙较大，有利于应力的释放，从而增加与所述基片之间的附着力。在较低温度及较小的溅射功率下形成的第二镀银膜30的晶粒粒径较小，刚好填补了第一镀银膜20的粒径之间的间隙，如图2所示。从而，第一镀银膜20及第二镀银膜30共同形成的反射膜2与基片10的附着力高、膜层致密度高，反射率高。请参阅图3A-3C，本专利技术还提供一种反射结构11的制备方法。其包括如下步骤：第一步：提供基片101。在本实施方式中，所述基片101选择的是发光陶瓷。对所述基片101进行抛光后、清洁处理。所述基片101还可以为金属基片或者陶瓷基片，陶瓷基片可以选用氧化铝、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氮化硼或者氧化铍；陶瓷基片还可以选择发光陶瓷，发光陶瓷可以选用石榴石结构的氧化物陶瓷，如：Ca3(Al，Sc)2Si3O12、(Gd，Tb，Y，Lu)3(Al，Ga)5O12或Y3Mg2AlSi2O12中的一种均可。优选地，发光陶瓷为YAG：Ce3+发光陶瓷，其中掺杂离子为Ce3+。其中，对所述基片101清洁的步骤包括：将所述基片101放入H2SO4：H2O2以2:1配制成的溶液中，在60℃下超声10分钟去除基片101表面的部分金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反射结构，包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，其特征在于：所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。/n

【技术特征摘要】
1.一种反射结构，包括：基片以及形成在所述基片表面的反射膜，其特征在于：所述反射膜包括依次形成在所述基片表面的第一镀银膜以及第二镀银膜，所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围大于第二镀银膜的银颗粒的粒径范围。


2.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于：所述基片的材质为金属或者陶瓷。


3.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于：所述第一镀银膜的银颗粒的粒径范围介于20-200nm，所述第二镀银膜的银颗粒的粒径范围介于1-30nm。


4.如权利要求1所述的反射结构，其特征在于：所述第一镀银膜的厚度介于0.05-2μm，所述第二镀银膜的厚度介于0.01-0.2μm。


5.如权利要求4所述的反射结构，其特征在于：所述第一镀银膜的厚度介于0.1-1μm，所述第二镀银膜的厚度介于0.02-0.05μm。


6.一种反射结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基片，对所述基片进行清洁处理；
在溅射...

【专利技术属性】
技术研发人员：张红秀，王杰，孙微，李屹，
申请(专利权)人：深圳光峰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44