放射线检测元件以及放射线检测元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种放射线检测元件，其即使在制成电极部与基板的密合性高、为了得到高清晰的放射线描绘图像而电极部之间的间隔窄的放射线检测元件这样的情况下，也不会产生因多个电极部之间的绝缘不充分而引起的性能不良。一种放射线检测元件，其特征在于，在由含有碲化镉或碲化镉锌的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和设于电极部之间的绝缘部，在多个电极部与基板之间存在含有碲的氧化物的中间层，在绝缘部的上部存在碲氧化物，并且，绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为30nm以下。

The manufacturing methods of radiation testing elements and radiation testing elements

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放射线检测元件以及放射线检测元件的制造方法
本专利技术涉及使用含有碲化镉(CdTe)或碲化镉锌(CdZnTe)的化合物半导体晶体的放射线检测元件以及放射线检测元件的制造方法。
技术介绍
作为II族(2B族)元素的镉(Cd)和作为VI族(6B族)元素的碲(Te)的II－VI族化合物即碲化镉(CdTe)的晶体材料是具有较大带隙(～1.44eV)的结晶性化合物半导体材料。另外，也包括通过将CdTe的Cd的一部分用作为同族元素的Zn置换而进一步增大了带隙的碲化镉锌(CdZnTe)在内，CdTe系化合物半导体晶体材料适合用于太阳电池、电光调制器、红外窗口等光学元件，暗视场摄像机(Darkfieldcamera)、红外望远镜等红外检测器，X射线照片(X-rayphotograph)、X射线计算机体层摄影(ComputerTomography，CT)、环境放射线测量仪等放射线检测器这样的广泛的用途。其中，在放射线检测器用途中，对电阻率高的绝缘性的CdTe系晶体施加高偏压(biasvoltage)，通过放射线入射到晶体材料时产生的(内部)光电效应将放射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线检测元件，其特征在于，/n在由含有碲化镉或碲化镉锌的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和设于所述电极部之间的绝缘部，/n在所述多个电极部与所述基板之间存在含有碲的氧化物的中间层，/n在所述绝缘部的上部存在碲氧化物，并且，所述绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为30nm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180925 JP 2018-1793421.一种放射线检测元件，其特征在于，
在由含有碲化镉或碲化镉锌的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和设于所述电极部之间的绝缘部，
在所述多个电极部与所述基板之间存在含有碲的氧化物的中间层，
在所述绝缘部的上部存在碲氧化物，并且，所述绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为30nm以下。


2.根据权利要求1所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为20nm以下。


3.根据权利要求2所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为10nm以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的放射线检测元件，其中，
所述绝缘部的上部的碲氧化物呈岛状存在。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述中间层的平均厚度为100nm以上。


6.根据权利要求5所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述中间层的平均厚度为200nm以上。


7.根据权利要求6所述的放射线检测元件，其特征在于，
所述中间层的平均厚度为400nm以上。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的放射线检测元件，其特征在于，
设于所述电极部之间的绝缘部的宽度为100μm以下。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的放射线检测元件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田浩平，村上幸司，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP