功率放大电路制造技术

本发明专利技术公开了一种功率放大电路，包括N级功率放大单元，每级功率放大单元均包括射频放大器与偏置电路，偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管及电容，外部一电压输入第一三极管与第二三极管的集电极，第一三极管的发射极与射频放大器的输入端连接，第一三极管的基极、第二三极管的基极、第三三极管的集电极、第一电阻及电容的一端均共同连接；外部另一电压输入第一电阻；第二三极管的发射极与第三电阻连接，第三电阻、第三三极管的基极及第四电阻共同连接；第三三极管的发射极与第二电阻的一端连接。本发明专利技术的功率放大电路可在不同温度情况下稳定静态工作电流，稳定射频信号增益，提高了产品在不同温度条件下的工作稳定性。

Power amplifier circuit

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路
本专利技术涉及射频微波
，更具体地涉及的功率放大电路。
技术介绍
典型的功率放大电路如图1所示，该电路为3级功率放大结构，各级的偏置电路(Bias1,Bias2,Bias3)提供电路工作的静态电流，并且为电路在输入功率变化的情况下提供补偿电流。在功率放大器(PA1,PA2，PA3)工作过程中，稳定电路的静态工作点是电路正常工作的关键，这要求电路在不同温度情况下的静态电流维持恒定。但是图1所示的电路结构，在温度变化的情况下，无法改善电路的静态电流变化，导致电路的静态电流随着温度的升高而增加，严重影响了电路的温度稳定性与增益稳定性，所以需要一种新的温度系数可调的电路结构来改善电路的稳定性。目前通常采用的一种改善方案是通过在电路中增加温度补偿结构来实现温度的补偿，如图2所示结构，该电路结构的偏置电路(Bias1,Bias2,Bias3)通过增加一个温度补偿电路来实现度温度的补偿，但是该电路结构的静态电流同样也会随着环境温度升高而增加，不能实现温度系数可调的功能。在上述第一方案中，随着环境温度的升高，由于三极管有随着本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，包括N级功率放大单元，N级功率放大单元依次顺序连接，且每级功率放大单元具有完全相同的结构特征，其中N为大于或等于2的自然数；每级功率放大单元均包括射频放大器与偏置电路，所述偏置电路与所述射频放大器的输入端连接，以为所述射频放大器提供静态工作电流，其特征在于，所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管及电容，外部一电压输入所述第一三极管与第二三极管的集电极，所述第一三极管的发射极与所述射频放大器的输入端连接，所述第一三极管的基极、第二三极管的基极、第三三极管的集电极、所述第一电阻的一端及电容的一端均共同连接；外部另一电压输入所...

【技术特征摘要】
1.一种功率放大电路，包括N级功率放大单元，N级功率放大单元依次顺序连接，且每级功率放大单元具有完全相同的结构特征，其中N为大于或等于2的自然数；每级功率放大单元均包括射频放大器与偏置电路，所述偏置电路与所述射频放大器的输入端连接，以为所述射频放大器提供静态工作电流，其特征在于，所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管及电容，外部一电压输入所述第一三极管与第二三极管的集电极，所述第一三极管的发射极与所述射频放大器的输入端连接，所述第一三极管的基极、第二三极管的基极、第三三极管的集电极、所述第一电阻的一端及电容的一端均共同连接；外部另一电压输入所述第一电阻的另一端，所述电容的另一端接地；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，张宗楠，吴杰，刘元鑫，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51