一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器制造技术

技术编号:24644057 阅读:21 留言:0更新日期:2020-06-24 17:24
本实用新型专利技术公开了一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,包括第一基板和设于第一基板的顶面上的第二基板,第二基板的顶面设有依次相连的输入匹配耦合器电路、功率放大器和输出匹配耦合器电路;第一基板与第二基板之间设有与输入匹配耦合器电路互连的第一谐振电路以及与输出匹配耦合器电路互连的第二谐振电路。利用三层印刷电路板来设计双频分支线耦合器,可以缩小耦合器面积,使得双频分支线耦合器能够实现小型化,减小了电路的复杂程度;将平面多枝节双频带结构用多层耦合式谐振结构替代,在缩小面积的同时,实现了双频带的功能,使得功率放大器能够在两个工作频段同时工作。

A miniaturized dual band power amplifier for 5g small base station

【技术实现步骤摘要】
一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器
本技术涉及通信
,尤其涉及一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器。
技术介绍
现有的平衡式功率放大器一般由单频耦合器和两路功率放大器组成,如图1所示,业内通常使用单层平面电路来实现单频带耦合器电路100和功率放大器4的输入输出匹配网络,因此,单频带平面耦合器电路100、输入匹配网络200和输出匹配网络300需要占用较大面积,不利于电路的小型化设计,使得整体设计成本升高。而且现有的平衡式功率放大器只能在一个频段工作。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器。为了解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为:一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,包括第一基板和设于所述第一基板的顶面上的第二基板,所述第二基板的顶面设有依次相连的输入匹配耦合器电路、功率放大器和输出匹配耦合器电路;所述第一基板与所述第二基板之间设有与所述输入匹配耦合器电路互连的第一谐振电路以及与所述输出匹配耦合器电路互连的第二谐振电路。进一步的,所述输入匹配耦合器电路包括第一枝节、第二枝节、第三枝节和第四枝节,第二枝节的两端分别与第一枝节及第四枝节相连,第三枝节的两端分别与第一枝节及第四枝节相连;第二枝节与第三枝节平行设置且第二枝节的长度小于所述第三枝节的长度;所述第一枝节与第四枝节相对于第二枝节的中心与第三枝节的中点的连接对称设置。进一步的,所述第一谐振电路包括互不导通的第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线,第一传输线位于第一枝节的正下方并与所述第一枝节导通,第二传输线位于第二枝节的正下方并与所述第二枝节导通,第三传输线位于第三枝节的正下方并与所述第三枝节导通,第四传输线位于第四枝节的正下方并与所述第四枝节导通。进一步的,所述第一谐振电路与所述输入匹配耦合器电路通过设于所述第二基板内的金属化孔导通。进一步的,所述输出匹配耦合器电路与所述输入匹配耦合器电路的构造相同,所述第二谐振电路与所述第一谐振电路的构造相同。进一步的,所述输入匹配耦合器电路包括输入端,所述输出匹配耦合器电路包括输出端。进一步的,所述输入匹配耦合器电路连接有第一负载,所述输出匹配耦合器电路连接有第二负载。进一步的,所述输入匹配耦合器电路和所述输出匹配耦合器电路通过两个所述功率放大器相连。进一步的,所述第一基板的底面设有地板。进一步的,所述第一基板的材质为陶瓷、液晶高分子聚合物或玻璃纤维。本技术的有益效果在于:利用三层印刷电路板来设计双频分支线耦合器,可以缩小耦合器面积,使得双频分支线耦合器能够实现小型化;将与功率放大器相连的输入/输出匹配网络与耦合器电路融合,形成输入/输出匹配耦合器电路,大大减小了电路的复杂程度;将平面多枝节双频带结构用多层耦合式谐振结构替代,在缩小面积的同时,实现了双频带的功能,使得功率放大器能够在两个工作频段同时工作。附图说明图1为现有技术的平衡式功率放大器的结构简化示意图;图2为本技术实施例一的用于5G小基站的小型化双频带功率放大器的剖视图;图3为本技术实施例一的用于5G小基站的小型化双频带功率放大器中的输入匹配耦合器电路与第一谐振电路对应关系示意图;图4为本技术实施例一的用于5G小基站的小型化双频带功率放大器中的输入匹配耦合器电路、功率放大器及输出匹配耦合器电路的连接关系示意图。标号说明:1、第一基板;2、第二基板;3、输入匹配耦合器电路;31、第一枝节;32、第二枝节;33、第三枝节;34、第四枝节;4、功率放大器;5、输出匹配耦合器电路;6、第一谐振电路;61、第一传输线;62、第二传输线;63、第三传输线;64、第四传输线;81、输入端;82、输出端;91、第一负载;92、第二负载;10、地板;100、单频带耦合器电路;200、输入匹配网络;300、输出匹配网络。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。请参照图2至图4,一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,包括第一基板1和设于所述第一基板1的顶面上的第二基板2,所述第二基板2的顶面设有依次相连的输入匹配耦合器电路3、功率放大器4和输出匹配耦合器电路5;所述第一基板1与所述第二基板2之间设有与所述输入匹配耦合器电路3互连的第一谐振电路6以及与所述输出匹配耦合器电路5互连的第二谐振电路。本技术的原理简述如下:采用将平面多枝节双频带结构用多层耦合式谐振结构替代,在缩小面积的同时,实现双频带的功能;多层耦合式谐振结构,利用耦合器的第二基板2上表面的输入匹配耦合器电路3和第二基板2下表面的谐振电路谐振在另一个频段产生通带,实现双频。从上述描述可知,本技术的有益效果在于:利用三层印刷电路板来设计双频分支线耦合器,可以缩小耦合器面积,使得双频分支线耦合器能够实现小型化;将与功率放大器4相连的输入/输出匹配网络与耦合器电路融合,形成输入/输出匹配耦合器电路5,大大减小了电路的复杂程度;将平面多枝节双频带结构用多层耦合式谐振结构替代,在缩小面积的同时,实现了双频带的功能,使得功率放大器4能够在两个工作频段同时工作。进一步的,所述输入匹配耦合器电路3包括第一枝节31、第二枝节32、第三枝节33和第四枝节34,第二枝节32的两端分别与第一枝节31及第四枝节34相连,第三枝节33的两端分别与第一枝节31及第四枝节34相连;第二枝节32与第三枝节33平行设置且第二枝节32的长度小于所述第三枝节33的长度;所述第一枝节31与第四枝节34相对于第二枝节32的中心与第三枝节33的中点的连接对称设置。由上述描述可知,第一、二、三、四枝节可分别为印刷线路,加工便利。进一步的,所述第一谐振电路6包括互不导通的第一传输线61、第二传输线62、第三传输线63和第四传输线64,第一传输线61位于第一枝节31的正下方并与所述第一枝节31导通,第二传输线62位于第二枝节32的正下方并与所述第二枝节32导通,第三传输线63位于第三枝节33的正下方并与所述第三枝节33导通,第四传输线64位于第四枝节34的正下方并与所述第四枝节34导通。由上述描述可知,第一、二、三、四传输线可分别为印制线路,方便加工。进一步的,所述第一谐振电路6与所述输入匹配耦合器电路3通过设于所述第二基板2内的金属化孔导通。进一步的,所述输出匹配耦合器电路5与所述输入匹配耦合器电路3的构造相同,所述第二谐振电路与所述第一谐振电路6的构造相同。进一步的,所述输入匹配耦合器电路3包括输入端81,所述输出匹配耦合器电路5包括输出端82。进一步的,所述输入匹配耦合器电路3连接有第一负载91,所述输出匹配耦合器电路5连接有第二负载92。进一步的,所述输入匹配耦合器电路3和所述输出匹配耦合器电路5通过两个所述功率放大器4相连。...

【技术保护点】
1.一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,其特征在于:包括第一基板和设于所述第一基板的顶面上的第二基板,所述第二基板的顶面设有依次相连的输入匹配耦合器电路、功率放大器和输出匹配耦合器电路;所述第一基板与所述第二基板之间设有与所述输入匹配耦合器电路互连的第一谐振电路以及与所述输出匹配耦合器电路互连的第二谐振电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,其特征在于:包括第一基板和设于所述第一基板的顶面上的第二基板,所述第二基板的顶面设有依次相连的输入匹配耦合器电路、功率放大器和输出匹配耦合器电路;所述第一基板与所述第二基板之间设有与所述输入匹配耦合器电路互连的第一谐振电路以及与所述输出匹配耦合器电路互连的第二谐振电路。


2.根据权利要求1所述的用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,其特征在于:所述输入匹配耦合器电路包括第一枝节、第二枝节、第三枝节和第四枝节,第二枝节的两端分别与第一枝节及第四枝节相连,第三枝节的两端分别与第一枝节及第四枝节相连;第二枝节与第三枝节平行设置且第二枝节的长度小于所述第三枝节的长度;所述第一枝节与第四枝节相对于第二枝节的中心与第三枝节的中点的连接对称设置。


3.根据权利要求2所述的用于5G小基站的小型化双频带功率放大器,其特征在于:所述第一谐振电路包括互不导通的第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线,第一传输线位于第一枝节的正下方并与所述第一枝节导通,第二传输线位于第二枝节的正下方并与所述第二枝节导通,第三传输线位于第三枝节的正下方并与所述第三枝节导通,第四传输线位于第四枝节的正下方并与所述第四枝节导通。


4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯张聚戴令亮唐小兰
申请(专利权)人:深圳市信维通信股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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