一种防止刮蹭台面的钝化结构及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了半导体玻璃钝化工艺领域内的一种防止刮蹭台面的钝化结构及其制备方法和应用。本钝化结构包括：Si外延衬底，Si外延衬底上表面中部设置有台柱；垫高层，设置于Si外延衬底上表面周缘，所述垫高层上表面高于台柱的上表面。本钝化结构Si外延衬底周缘的垫高层形成台阶，在玻璃钝化过程中刮涂刀以台阶上表面为基准面将玻璃乳浆刮涂至台阶内至玻璃乳浆包裹台柱周面及上表面，刮涂过程中刮涂刀不会触碰到台柱台面，从而保护台面防止损伤。

A passivation structure to prevent scratching table and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种防止刮蹭台面的钝化结构及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体玻璃钝化工艺领域，特别涉及一种防止刮蹭台面的钝化结构及其制备方法和应用。
技术介绍
台面型封装轴向二极管器件的电气性能、稳定性及可靠性与芯片台面的性质有着密切关系，芯片PN结裸露的表面实际上是硅晶格排列终止的边缘，在这终止的边缘上存在着不饱和键或沾污微离子，容易引起芯片台面状态发生变化，从而引起器件的电性能参数及可靠性退化。因此，对于这类器件，必须在芯片台面上钝化一层致密的保护膜，以防止离子的沾污和外界条件对器件电性能参数及可靠性的影响。目前玻璃钝化是一种常见的钝化工艺。现有的玻璃钝化工艺中多采用玻璃刮涂法，玻璃刮涂法是利用刮涂刀将玻璃乳浆刮入开好的沟槽内，使沟槽内填满玻璃乳浆，从而得到器件所需要的电气性能和可靠性。但本申请专利技术人在实际操作过程中发现，因刮涂刀质地较硬，且刀刮时为保证刮涂的均匀性，刮压力道不能轻，所以在刮涂完成后易导致台面缺角甚至台面断裂，降低了产品良率，影响产品品质。因此亟需一种方法在刮涂过程中避免刮涂刀刮蹭台面，从而保护台面。...

【技术保护点】
1.一种防止刮涂刀刮蹭台面的钝化结构，其特征在于，包括：/nSi外延衬底，所述Si外延衬底上表面中部设置有台柱；/n垫高层，设置于所述Si外延衬底上表面周缘，所述垫高层上表面高于所述台柱的上表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止刮涂刀刮蹭台面的钝化结构，其特征在于，包括：
Si外延衬底，所述Si外延衬底上表面中部设置有台柱；
垫高层，设置于所述Si外延衬底上表面周缘，所述垫高层上表面高于所述台柱的上表面。


2.根据权利要求1所述的钝化结构，其特征在于：所述垫高层从下至上依次包括二氧化硅层和氮化硅层。


3.一种如权利要求1-2任一所述的钝化结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1:在Si外延衬底上表面从下至上依次设置垫高层和光刻胶层；
S2:从上至下依次在步骤S1中的光刻胶层、垫高层和Si外延衬底中部开设沟槽，至Si外延衬底上形成所需台柱；
S3:去除所有光刻胶层及所述步骤S2中台柱上方的垫高层。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：
S1.1:在Si外延衬底上表面生长二氧化硅层；
S1.2:在步骤S1.1中的二氧化硅层上表面生长氮化硅层；
S1.3:在步骤S1.2中的氮化硅层上表面匀布光刻胶,形成光刻胶层；
其中，二氧化硅层和氮化硅层共同构成垫高层。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S1.1中的二氧化硅层层高为24000-25000埃...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈年，张龙，刘智，韩超，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32