【技术实现步骤摘要】
银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，具体涉及一种银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
柔性电子已经成为未来的发展方向。目前使用的氧化铟锡玻璃由于其本身的脆性难以实现弯折，不适于应用在柔性电子器件，尤其是柔性光电器件中。银纳米线透明导电薄膜由于其良好的柔性、优良的光电性能以及可以溶液法低成本制备等优势，在柔性器件，尤其是柔性电致发光二极管和柔性薄膜太阳能电池等柔性光电器件等领域有着广泛的应用场景。然而，银纳米线透明导电薄膜仍存在着表面粗糙度高、机械和化学稳定性差等缺陷，同时由于银本身较低的功函数，在柔性光电器件中会产生较大的接触势垒，降低器件的性能。因此，对于银纳米线透明导电薄膜的复合改性成为了一个重要的课题。目前常用的改性材料等包括石墨烯及衍生物、金属氧化物和导电高分子等，均存在一定的缺陷。最近，二维金属碳化物纳米片，即MXene引起了广泛的关注。MXene主要由化学玻璃MAX相化合物获得，主要为金属的碳化物、氮化物或碳氮化物...
【技术保护点】
1.银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/n1)、透明导电薄膜衬底的处理：透明导电薄膜衬底经洗涤后，干燥，得处理后衬底；/n2)、银纳米线透明导电薄膜的制备：取浓度为0.1～5mg/mL的银纳米线分散液涂布在步骤1)所得的处理后衬底上，干燥后获得厚度为50～200nm的银纳米线透明导电薄膜；/n3)、银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备：将浓度为0.2～3mg/mL的Mxene纳米片/MXene复合物的分散液均匀涂布步骤2)所得的银纳米线透明导电薄膜上，干燥后获得厚度为51～500nm的银纳米线-MXene复合透明导电薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)、透明导电薄膜衬底的处理：透明导电薄膜衬底经洗涤后，干燥，得处理后衬底；
2)、银纳米线透明导电薄膜的制备：取浓度为0.1～5mg/mL的银纳米线分散液涂布在步骤1)所得的处理后衬底上，干燥后获得厚度为50～200nm的银纳米线透明导电薄膜；
3)、银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备：将浓度为0.2～3mg/mL的Mxene纳米片/MXene复合物的分散液均匀涂布步骤2)所得的银纳米线透明导电薄膜上，干燥后获得厚度为51～500nm的银纳米线-MXene复合透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：
Mxene纳米片为Ti3C2、Ti2C、V2C、Nb4C3；
MXene复合物由MXene纳米片与聚合物组成；所述聚合物为以下至少一种：聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)，聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔；MXene纳米片与聚合物；MXene复合物的分散液中，MXene纳米片的浓度为0.2～3mg/mL，所述MXene纳米片：聚合物的浓度比为1：(0.5±0.1)。
3.根据权利要求2所述的银纳米线-MXene复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：
所述步骤2)中：银纳米线分散液所用溶剂为以下至少任意一种：乙醇、丙酮、乙二醇、聚乙二醇。
4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭兴忠，百盛池，杨辉，张燕，陈天锐，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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