异质结太阳能电池片、叠瓦组件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种异质结太阳能电池片和叠瓦组件。异质结太阳能电池片的基体片包括中心层、N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层和透光导电层，中心层包括单晶硅衬底层和本征非晶硅薄膜层，本征非晶硅薄膜层设置在单晶硅衬底层的顶侧和底侧，且位于单晶硅衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均为至少两层；N型非晶硅薄膜层设置在中心层的顶侧，P型非晶硅薄膜层设置在中心层的底侧；透光导电层设置在N型非晶硅薄膜层的顶侧和P型非晶硅薄膜层的底侧。本实用新型专利技术的异质结太阳能电池片能够降低单晶硅衬底与N型、P型非晶硅薄膜层之间的缺陷态密度及表面复合速率、提高钝化效果，提高电池的开路电压、填充因子和转换效率。

Heterojunction solar cell, laminated tile module

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池片、叠瓦组件
本技术涉及能源领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件。
技术介绍
随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。目前，异质结太阳能电池由于具备转换效率高、制造工艺流程短、硅片薄片化、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效太阳能电池技术。但异质结太阳能电池技术若要实现大规模发展也具有一定难度：一方面，异质结太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结太阳能电池片，所述异质结太阳能电池片包括基体片、设置在所述基体片的顶表面上的正电极和设置在所述基体片的底表面上的背电极，其特征在于，所述基体片包括：/n中心层，所述中心层包括：/n单晶硅衬底层；/n本征非晶硅薄膜层，所述本征非晶硅薄膜层设置在所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧，且位于所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧的所述本征非晶硅薄膜层均为至少两层；/nN型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层，所述N型非晶硅薄膜层设置在所述中心层的顶侧，所述P型非晶硅薄膜层设置在所述中心层的底侧；以及/n透光导电层，所述透光导电层设置在所述N型非晶硅薄膜层的顶侧和所述P型非晶硅薄膜层的底侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池片，所述异质结太阳能电池片包括基体片、设置在所述基体片的顶表面上的正电极和设置在所述基体片的底表面上的背电极，其特征在于，所述基体片包括：
中心层，所述中心层包括：
单晶硅衬底层；
本征非晶硅薄膜层，所述本征非晶硅薄膜层设置在所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧，且位于所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧的所述本征非晶硅薄膜层均为至少两层；
N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层，所述N型非晶硅薄膜层设置在所述中心层的顶侧，所述P型非晶硅薄膜层设置在所述中心层的底侧；以及
透光导电层，所述透光导电层设置在所述N型非晶硅薄膜层的顶侧和所述P型非晶硅薄膜层的底侧。


2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述衬底层为N型单晶硅衬底层。


3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王秀鹏，王月斌，蒋卫朋，余义，
申请(专利权)人：成都晔凡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51