光电探测器制造技术

本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。其中，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物。本申请提供的光电探测器，可提高光电探测器膜结构的阻抗，有效降低光电探测器的暗电流，并可使得隧穿结在反向偏压下具有极好的光电倍增效应，提高光电探测器的灵敏度。

Photodetector

【技术实现步骤摘要】
光电探测器
本申请涉及半导体
，特别涉及一种光电探测器。
技术介绍
铜铟镓硒(CIGS)材料因具有较高的光吸收率及较高的量子效率，可应用在光电探测器件中，使光电探测器件达到更好的光电转化效果。但是，采用铜铟镓硒的光电探测器由于各膜层的阻值均较小，导致光电探测器的暗电流较大，影响光电探测器的性能。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种光电探测器，所述光电探测器包括：衬底；形成于所述衬底上的第一电极层；形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层；形成于所述光吸收层上的隧穿结层，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物；形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层；形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。在本申请的一个实施例中，所述隧穿结层中，硫化镁与硫化锌的物质的量比值的范围为0.1～0.5：0.5～0.9。在本申请的一个实施例中，所述隧穿结层中，硫化镁与硫化锌的物质的量比值的范围为0.25：0.75。在本申请的一个实施例中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：/n衬底；/n形成于所述衬底上的第一电极层；/n形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层；/n形成于所述光吸收层上的隧穿结层，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物；/n形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层；/n形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：
衬底；
形成于所述衬底上的第一电极层；
形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层；
形成于所述光吸收层上的隧穿结层，所述隧穿结层的材料为硫化镁与硫化锌的混合物；
形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层；
形成于所述半导体层上的透明的第二电极层。


2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述隧穿结层中，硫化镁与硫化锌的物质的量比值的范围为0.1～0.5：0.5～0.9。


3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述隧穿结层中，硫化镁与硫化锌的物质的量比值的范围为0.25：0.75。


4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述隧穿结层40的厚度为100nm～2000nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：杜建华，关峰，高宇鹏，袁广才，王忠国，徐国良，王政焱，陈明，杨春雷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11