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本申请提供一种光电探测器。所述光电探测器包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极层、形成于所述第一电极层上的具有第一导电类型的光吸收层、形成于所述光吸收层上的隧穿结层、形成于所述隧穿结层上的具有第二导电类型的半导体层及形成于所述半导体层上的透明...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;中国科学院深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;中国科学院深圳先进技术研究院授权不得商用。