【技术实现步骤摘要】
一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件
本技术涉及光伏电池
，特别是涉及一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件。
技术介绍
随着太阳能光伏市场的发展，人们对高效的晶体硅电池的需求越来越急迫。而由于光伏技术的不断发展，光伏电池的制造技术成本在不断下降，市场竞争更加激烈，高质量低成本的光伏电池是提高竞争力的主要因素。对于晶硅太阳能而言，表面钝化技术日益成熟，钝化水平趋于饱和。限制晶硅晶硅太阳能电池开路电压和转换效率进一步提升的主要因素是金属电极与晶硅表面接触区域复合电流过大，高出非金属接触区域复合电流2个数量级。隧穿氧化层钝化接触技术可以将金属接触区域的复合，然而该结构中的硅基薄膜对太阳光的强吸收性，限制了隧穿氧化层钝化接触技术在晶硅太阳能电池正面的使用，导致晶硅太阳电池转换效率进一步提升受到阻碍。
技术实现思路
本技术的目的是提供了一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构以及光伏组件，与现有量产晶硅电池量产工艺兼容，能快速地投入量产，起到快速提效降本的作用。为解决...
【技术保护点】
1.一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，包括电池片主体、设置在所述电池片主体表面的第一隧穿氧化层、设置在所述隧穿氧化层表面的第一多晶硅薄膜层，所述电池片主体表面包括钝化接触区和吸光区，所述第一隧穿氧化层设置在所述钝化接触区，所述第一多晶硅薄膜层在所述电池片主体表面的投影在所述钝化接触区内。/n
【技术特征摘要】
1.一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，包括电池片主体、设置在所述电池片主体表面的第一隧穿氧化层、设置在所述隧穿氧化层表面的第一多晶硅薄膜层，所述电池片主体表面包括钝化接触区和吸光区，所述第一隧穿氧化层设置在所述钝化接触区，所述第一多晶硅薄膜层在所述电池片主体表面的投影在所述钝化接触区内。
2.如权利要求1所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，还包括设置在所述第一隧穿氧化层与所述电池片主体之间的第二隧穿氧化层、第二多晶硅薄膜层，所述第二隧穿氧化层、所述第二多晶硅薄膜层在所述电池片主体的投影同时覆盖所述钝化接触区、所述吸光区。
3.如权利要求2所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化层、第二隧穿氧化层的厚度为5nm～50n...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨洁，孙海杰，王钊，徐孟雷，郑霈霆，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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