一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，涉及太阳电池技术领域，本实用新型专利技术包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层，本实用新型专利技术提高了n型双面太阳电池的背面电池的开路电压，降低串联电阻提高填充因子，在不降低正面效率的情况下，提高电池双面率。

A n-type double-sided solar cell with local high and low junction back surface field

【技术实现步骤摘要】
一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池
本技术涉及太阳电池
，更具体的是涉及一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池。
技术介绍
近几年，可再生能源的大力发展日益增加，比较热门的可再生能源领域有太阳能、风能、潮汐能等。太阳能相比传统能源有着利用简单、安全、无污染等特点，成为可再生新能源领域研究的焦点。太阳能电池发电的基本原理是光生伏打效应，太阳电池是将太阳光转化为电能的新能源器件，随着太阳能发电的应用领域增加，新政策等优惠问题，光伏发电成本的需要大幅度的降低光伏发电的成本降低在电池制造领域需要提效降本。传统的单面发电电池的转化效率低，发电量低的问题，需要从事太阳能电池研究的科研人员研究双面太阳电池，节约硅衬底材料，增加发电量。双面电池可以应用在湖泊，形成渔光互补，也可以应用在高速公路、光伏建筑一体化、雪地等，太阳电池的背面充分地利用漫反射光，增加双面太阳电池的发电量。针对现有的n型硅衬底双面太阳电池，其下表面用三氧化二铝和氮化硅的叠层薄膜，这种双面太阳电池的背面电池的填充因子和开路电压比较低，导致双面太阳电池背面电池效率低，双面率也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底(4)，n型硅衬底(4)底部从上到下设置有氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)，其特征在于，n型硅衬底(4)底部嵌设有若干条磷源掺杂层(5)，磷源掺杂层(5)底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)的背面金属电极层(9)。/n

【技术特征摘要】
1.一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底(4)，n型硅衬底(4)底部从上到下设置有氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)，其特征在于，n型硅衬底(4)底部嵌设有若干条磷源掺杂层(5)，磷源掺杂层(5)底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)的背面金属电极层(9)。


2.根据权利要求1所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于，n型硅衬底(4)顶部从下到上依次设置有硼源掺杂层(3)和正面氮化硅减反层(2)，硼源掺杂层(3)上表面设置有若干与磷源掺杂层(5)位置一一对应的正面金属电极层(1)，正面金属电极层(1)均贯穿正面氮化硅减反层(2)。


3.根据权利要求2所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王璞，吴俊旻，谢毅，张鹏，王岚，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51