一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，涉及太阳电池技术领域，本实用新型专利技术包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层，本实用新型专利技术提高了n型双面太阳电池的背面电池的开路电压，降低串联电阻提高填充因子，在不降低正面效率的情况下，提高电池双面率。

A n-type double-sided solar cell with local high and low junction back surface field

【技术实现步骤摘要】
一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池
本技术涉及太阳电池
，更具体的是涉及一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池。
技术介绍
近几年，可再生能源的大力发展日益增加，比较热门的可再生能源领域有太阳能、风能、潮汐能等。太阳能相比传统能源有着利用简单、安全、无污染等特点，成为可再生新能源领域研究的焦点。太阳能电池发电的基本原理是光生伏打效应，太阳电池是将太阳光转化为电能的新能源器件，随着太阳能发电的应用领域增加，新政策等优惠问题，光伏发电成本的需要大幅度的降低光伏发电的成本降低在电池制造领域需要提效降本。传统的单面发电电池的转化效率低，发电量低的问题，需要从事太阳能电池研究的科研人员研究双面太阳电池，节约硅衬底材料，增加发电量。双面电池可以应用在湖泊，形成渔光互补，也可以应用在高速公路、光伏建筑一体化、雪地等，太阳电池的背面充分地利用漫反射光，增加双面太阳电池的发电量。针对现有的n型硅衬底双面太阳电池，其下表面用三氧化二铝和氮化硅的叠层薄膜，这种双面太阳电池的背面电池的填充因子和开路电压比较低，导致双面太阳电池背面电池效率低，双面率也比较低。故如何解决上述技术问题，对于本领域技术人员来说很有现实意义。
技术实现思路
本技术的目的在于：为了解决现有n型硅衬底双面太阳电池的填充因子和开路电压比较低，导致双面太阳电池背面电池效率低，双面率也比较低的技术问题，本技术提供一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池。本技术为了实现上述目的具体采用以下技术方案：一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层的背面金属电极层。进一步地，n型硅衬底顶部从下到上依次设置有硼源掺杂层和正面氮化硅减反层，硼源掺杂层上表面设置有若干与磷源掺杂层位置一一对应的正面金属电极层，正面金属电极层均贯穿正面氮化硅减反层。进一步地，正面金属电极层和背面金属电极层均为Ag或Ag合金或Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Al、Mg、Ta、Sn至少之一所形成的合金。进一步地，n型硅衬底厚度为100-160um，硼源掺杂层厚度为300-500nm，正面氮化硅减反层厚度为80-100nm，氧化硅钝化层厚度为1-10nm，本征非晶硅层厚度为2-10nm，背面氮化硅减反层厚度为100-150nm，磷源掺杂层的厚度为300-500nm。进一步地，背面金属电极层和正面金属电极层的电极栅线宽度均为40-80um，其高度均为25-50um。本技术的有益效果如下：1、在n型硅衬底底部嵌设若干条磷源掺杂层，从而形成背场高低结结构，提高了双面太阳电池的背面电池的开路电压，且背面金属电极层与磷源掺杂层形成欧姆接触，降低了电池的串联电阻，保持正面效率不降低的情况下，提高双面太阳电池背面电池的光电转化效率和双面率，增加了电池电池组件的发电量，减少了电站占地面积，充分的利用的有限的空间资源，节约了硅衬底材料。经测试得，本技术正面效率22.38％以上，双面率78.4％以上，发电量增益5％-15％。附图说明图1是本技术一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池的结构示意图；图2是实施例2中n型局部高低结背表面场单面太阳电池的结构示意图。附图标记：1-正面金属电极层，2-正面氮化硅减反层，3-硼源掺杂层，4-n型硅衬底，5-磷源掺杂层，6-氧化硅钝化层，7-本征非晶硅层，8-背面氮化硅减反层，9-背面金属电极层，10-铝背场层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。以下结合实施例对本技术的特征和性能作进一步的详细描述。实施例1如图1所示，本实施例提供一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底4，n型硅衬底4底部从上到下设置有氧化硅钝化层6、本征非晶硅层7和背面氮化硅减反层8，n型硅衬底4底部嵌设有若干条磷源掺杂层5，磷源掺杂层5底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层6、本征非晶硅层7和背面氮化硅减反层8的背面金属电极层9。在n型硅衬底4底部嵌设若干条磷源掺杂层5，从而形成背场高低结结构，提高了双面太阳电池的背面电池的开路电压，且背面金属电极层9与磷源掺杂层5形成欧姆接触，降低了电池的串联电阻，保持正面效率不降低的情况下，提高双面太阳电池背面电池的光电转化效率和双面率，增加了电池电池组件的发电量，减少了电站占地面积，充分的利用的有限的空间资源，节约了硅衬底材料。经测试得，本技术制得的电池正面效率22.38％以上，双面率78.4％以上，发电量增益5％-15％。作为本实施例的一种优选技术方案：n型硅衬底4顶部从下到上依次设置有硼源掺杂层3和正面氮化硅减反层2，硼源掺杂层3上表面设置有若干与磷源掺杂层5位置一一对应的正面金属电极层1，正面金属电极层1均贯穿正面氮化硅减反层2。作为本实施例的一种优选技术方案：正面金属电极层1和背面金属电极层9均为Ag或Ag合金或Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Al、Mg、Ta、Sn至少之一所形成的合金，均满足使用要求。作为本实施例的一种优选技术方案：n型硅衬底4厚度为100-160um，硼源掺杂层3厚度为300-500nm，正面氮化硅减反层2厚度为80-100nm，氧化硅钝化层6厚度为1-10nm，本征非晶硅层7厚度为2-10nm，背面氮化硅减反层8厚度为100-150nm，磷源掺杂层5的厚度为300-500nm，背面金属电极层9和正面金属电极层1的电极栅线宽度均为40-80um，其高度均为25-50um，优化各层厚度，提高电池性能。本技术原理也可运用在单面太阳电池上，如下实施例2：实施例2如图2所示，本实施例提供一种n型局部高低结背表面场单面太阳电池，包括n型硅衬底4，n型硅衬底4底部从上到下设置有氧化硅钝化层6和背面氮化硅减反层8，n型硅衬底4底部嵌设有若干条磷源掺杂层5，磷源掺杂层5底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层6和背面氮化硅减反层8的铝背场层10，且铝背场层10延伸出来覆盖背面氮化硅减反层8下表面，n型硅衬底4顶部从下到上依次设置有硼源掺杂层3和正面氮化硅减反层2，硼源掺杂层3上表面设置有若本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底(4)，n型硅衬底(4)底部从上到下设置有氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)，其特征在于，n型硅衬底(4)底部嵌设有若干条磷源掺杂层(5)，磷源掺杂层(5)底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)的背面金属电极层(9)。/n

【技术特征摘要】
1.一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，包括n型硅衬底(4)，n型硅衬底(4)底部从上到下设置有氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)，其特征在于，n型硅衬底(4)底部嵌设有若干条磷源掺杂层(5)，磷源掺杂层(5)底部连接有同时贯穿氧化硅钝化层(6)、本征非晶硅层(7)和背面氮化硅减反层(8)的背面金属电极层(9)。


2.根据权利要求1所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于，n型硅衬底(4)顶部从下到上依次设置有硼源掺杂层(3)和正面氮化硅减反层(2)，硼源掺杂层(3)上表面设置有若干与磷源掺杂层(5)位置一一对应的正面金属电极层(1)，正面金属电极层(1)均贯穿正面氮化硅减反层(2)。


3.根据权利要求2所述的一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王璞，吴俊旻，谢毅，张鹏，王岚，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51