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本实用新型公开了一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池，涉及太阳电池技术领域，本实用新型包括n型硅衬底，n型硅衬底底部从上到下设置有氧化硅钝化层、本征非晶硅层和背面氮化硅减反层，n型硅衬底底部嵌设有若干条磷源掺杂层，磷源掺杂层底部连接有同时...
该专利属于通威太阳能(眉山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能(眉山)有限公司授权不得商用。

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