【技术实现步骤摘要】
散热性能高的半导体三极管
本技术涉及半导体三极管
，特别涉及一种散热性能高的半导体三极管。
技术介绍
半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关，是半导体基本元器件之一，它最主要的功能是电流放大和开关作用，是电子电路的核心元件，半导体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。然而，目前现有的半导体三极管存在散热性能不理想的问题，容易影响半导体三极管的性能可靠性和使用寿命，且封装工艺复杂繁琐，生产效率低下。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种散热性能高的半导体三极管，旨在解决现有的半导体三极管存在散热性能不理想的问题，容易影响半导体三极管的性能可靠性和使用寿命，且封装工艺复杂繁琐，生产效率低下的技术问题。为实现上述目的，本技术提出的散热性能高的半导体三极管，包括三极管本体、IC芯片、...
【技术保护点】
1.一种散热性能高的半导体三极管，其特征在于，包括三极管本体、IC芯片、引脚以及散热块，所述三极管本体的外侧壁凹设有一容置槽，所述IC芯片和散热块依次嵌设于所述容置槽内设置，且所述散热块位于所述IC芯片的上端部设置，所述引脚分别竖直平行的设置于所述三极管本体的下端壁上，所述IC芯片分别与所述引脚电连接，且所述IC芯片和散热块的外侧壁分别与所述容置槽的内侧壁间隔连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种散热性能高的半导体三极管，其特征在于，包括三极管本体、IC芯片、引脚以及散热块，所述三极管本体的外侧壁凹设有一容置槽，所述IC芯片和散热块依次嵌设于所述容置槽内设置，且所述散热块位于所述IC芯片的上端部设置，所述引脚分别竖直平行的设置于所述三极管本体的下端壁上，所述IC芯片分别与所述引脚电连接，且所述IC芯片和散热块的外侧壁分别与所述容置槽的内侧壁间隔连接。
2.根据权利要求1所述的散热性能高的半导体三极管，其特征在于，所述容置槽的底部设置有环氧树脂胶层，所述IC芯片的下端壁通过所述环氧树脂胶层与所述容置槽的底部粘接固定连接。
3.根据权利要求2所述的散热性能高的半导体三极管，其特征在于，所述容置槽的前端部凸设有分别与所述引脚电连接的第一焊接部和第二焊接部，所述IC芯片的上端壁的两侧分别设有第三焊接部和第四焊接部，所述第三焊接部和第四焊接部分别设置有导电银胶层，所述第一焊接部通过所述导电银胶层与所述第三焊接部粘接电连接，所述第二焊接部与通过所述导电银胶层与所述第四焊接部粘接电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈华军，
申请(专利权)人：深圳华矽电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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