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散热性能高的半导体三极管制造技术
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文档序号:24682369
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本实用新型涉及半导体三极管技术领域,公开了一种散热性能高的半导体三极管,包括三极管本体、IC芯片、引脚以及散热块,三极管本体的外侧壁凹设有一容置槽,IC芯片和散热块依次嵌设于容置槽内设置,且散热块位于IC芯片的上端部设置,引脚分别竖直平行的...
该专利属于深圳华矽电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳华矽电子有限公司授权不得商用。
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