适用于高温高频条件下的阻抗测量方法技术

本发明专利技术旨在提供一种适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，包括以下步骤：A、将待测材料制成圆形薄片状的样品片，将样品片夹持于同轴结构的夹具的内部，将夹具的一端通过数据线与矢量网络分析仪的接口连接，通过矢量网络分析仪测量得到夹持样品片的夹具的整体反射参数，计算得到夹具本身的阻抗值，计算得到的夹持样品片的夹具的整体阻抗值；B、计算得到样品片的阻抗值；C、根据样品片的阻抗值计算得到样品片的反射参数；D、预设补偿修正公式，计算得到补偿修正后的样品片的复介电常数；E、根据补偿修正后的样品片的复介电常数计算得到样品片的最终阻抗。该方法克服现有技术缺陷，具有测量误差小、测量精度高的特点。

Impedance measurement method for high temperature and high frequency

【技术实现步骤摘要】
适用于高温高频条件下的阻抗测量方法
本专利技术涉及材料阻抗测试方法领域，具体涉及一种适用于高温高频条件下的阻抗测量方法。
技术介绍
现有的半导体材料电阻率测量系统主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，通常采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线，但测量频率范围值局限于20Hz—30MHz，不能满足在高频条件下的测量需要；并且在高频条件下微波会出现多次反射的现象，同时由于被测样品的厚度不同而导致微波在样品中传播时会发生相位的改变,进而出现电延迟的现象，存在较大的误差。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，该方法克服现有技术缺陷，具有测量误差小、测量精度高的特点。本专利技术的技术方案如下：一种适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，包括以下步骤：A、将待测材料制成圆形薄片状的样品片，将样品片夹持于同轴结构的夹具的内部，将夹具的一端通过数据线与矢量网络分析仪的接口连接，控制夹持样品片的夹具温度为需要的测量温度值，通过矢量网络分析仪测量得到夹持样品片的夹具的整体反射参数，根据夹具的材料属性、尺寸参数计算得到夹具本身的阻抗值，并根据夹持样品片的夹具的整体反射参数、夹具的阻抗值计算得到的夹持样品片的夹具的整体阻抗值；B、根据夹持样品片的夹具的整体阻抗值、夹具本身的阻抗值计算得到样品片的阻抗值；C、根据样品片的阻抗值计算得到样品片的反射参数；D、预设补偿修正公式，将样品片的反射参数代入补偿修正公式中，计算得到补偿修正后的样品片的复介电常数；所述的补偿修正公式为：其中S'11为样品片的反射参数，ε为补偿修正后的样品片的复介电常数，ted为电延迟的时延，r为样品片的半径，n为多次反射的次数；其中分布电感ω为角频率，μ为夹具的磁导率，电容其中ε0为真空介电常数，RA为夹具的外管内壁的半径，RB为夹具的内柱的半径；E、根据补偿修正后的样品片的复介电常数计算得到样品片的最终阻抗。优选地，所述的待测材料包括导体、半导体、高分子材料。优选地，所述的步骤A中夹持样品片的夹具的整体阻抗值的计算具体为：其中Zm为夹持样品片的夹具的整体阻抗值，Zc为夹具的阻抗值，S11为夹具及样品片的整体反射参数；其中ε1为空气的介电常数。优选地，所述的步骤B中样品片的阻抗值的计算具体如下：样品片的阻抗值Zr由公式(4)计算：其中Zr为样品片的阻抗值，l为夹具的内柱的长度；th(x)＝[exp(x)-exp(-x)]/[exp(x)+exp(-x)]。优选地，所述的步骤C中的样品片的反射参数S'11由公式(5)求解得到：优选地，所述的步骤E中的样品片的最终阻抗Zr'的计算具体为：其中d为样品片的厚度，s为夹具的内柱的截面积。优选地，所述的夹具包括数据线、接头Ⅰ、接头Ⅱ、外管、内柱；所述的接头Ⅰ设有延左右方向设置的通孔Ⅰ，所述的通孔Ⅰ内固定设有导柱Ⅰ，所述的导柱Ⅰ延通孔Ⅰ的轴向设置；所述的数据线左端与矢量网络分析仪连接，右端伸入接头Ⅰ与导柱Ⅰ连接；所述的接头Ⅱ的左端与接头Ⅰ的右端配合，能够连接成一体；所述的接头Ⅱ设有延左右方向设置的通孔Ⅱ，所述的通孔Ⅱ内固定设有导柱Ⅱ，所述的导柱Ⅱ延通孔Ⅱ的轴向设置，导柱Ⅱ的右端位于通孔Ⅱ内并与通孔Ⅱ的右端口之间留有距离，该段距离构成夹持槽；当接头Ⅱ与接头Ⅰ连接时，导柱Ⅱ的左端与导柱Ⅰ的右端接触；所述的外管左端与接头Ⅱ的右端配合，能够连接成一体；所述的内柱设于外管内，延外管的轴向延伸；外管与接头Ⅱ连接时，样品片置于夹持槽内，内柱的左端伸入夹持槽内，导柱Ⅱ的右端与内柱的左端分别夹紧样品片的左右两侧；所述的接头Ⅰ、接头Ⅱ、外管、内柱均由金属导体材料制成。优选地，所述的数据线外壁的右端设有螺纹接头，数据线内部的传输导体的右端伸出数据线外壁的右端之外；所述的螺纹接头外侧设有外螺纹Ⅰ，所述的接头Ⅰ的左端设有与螺纹接头相对应的凹部Ⅰ，所述的凹部Ⅰ内侧设有与外螺纹Ⅰ相对应的内螺纹Ⅰ，所述的数据线与接头Ⅰ通过外螺纹Ⅰ、内螺纹Ⅰ的配合实现连接，此时，数据线内部的传输导体与导柱Ⅰ相互接触，从而实现连接。优选地，所述的接头Ⅰ的右端设有延其轴向设置的环状的突出部Ⅰ，所述的突出部Ⅰ外侧设有外螺纹Ⅱ，所述的接头Ⅱ左端设有与突出部Ⅰ相对应的凹部Ⅱ，所述的凹部Ⅱ内侧设有与外螺纹Ⅱ相对应的内螺纹Ⅱ，所述的接头Ⅰ与接头Ⅱ通过外螺纹Ⅱ、内螺纹Ⅱ的配合实现连接，此时，导柱Ⅱ的左端与导柱Ⅰ的右端接触；所述的接头Ⅱ的右端设有延其轴向设置的环状的突出部Ⅱ，所述的突出部Ⅱ的外侧设有外螺纹Ⅲ，所述的外管左端设有与突出部Ⅱ相对应的凹部Ⅲ，所述的凹部Ⅲ内侧设有与外螺纹Ⅲ相对应的内螺纹Ⅲ，所述的接头Ⅱ与外管通过外螺纹Ⅲ、内螺纹Ⅲ的配合实现连接。本专利技术通过对测量得到夹具与待测材料的整体反射系数进行处理，分离出待测材料自身的反射系数，并且采用补偿修正公式对待测材料自身的反射系数进行补偿修正，将实际测量过程中发生的多次反射以及电延迟的两大影响因素移除，相比于现有技术方案，大大提高了计算结果的精确度，降低测量误差；并且，本专利技术采用接头I、接头Ⅱ以及外管构成全金属结构的同轴传输线，全金属结构具有较好的耐高温特性，金属在高温下形变较小的特性，进而降低了夹具在高温环境下阻抗的变化，进一步提高测量的精确度，本专利技术夹具的适用温度范围为室温-300℃，尤其适用于200-300℃的高温范围，高于现有技术方案的温度范围；而同轴结构使得夹具的阻抗与矢量网络分析仪的电路特性阻抗相匹配，提高高频条件下的测量精度，降低高频条件下的测量误差，使得本专利技术夹具能够适用于高频条件下的测量要求，本专利技术夹具的适用频率范围为300KHz-3GHz，尤其适用于30MHz-3GHz的高频范围，高于现有技术方案的频率范围；并且，夹具的全金属结构通过各部件间的螺纹结构完成连接，提高操作的便捷性；固定螺帽结构提高了对内柱的支撑与限位，通过其与内柱的静摩擦保持内柱的稳定夹紧；本专利技术夹具优选采用全金属结构的APC-7转接头作为接头Ⅰ及接头Ⅱ。附图说明图1为适用于高温高频条件下的阻抗测量方法的夹具的结构示意图；图中各部分名称及序号如下：1为数据线，2为接头Ⅰ，3为接头Ⅱ，4为外管，5为内柱，6为固定螺帽，7为样品片；21为通孔Ⅰ，22为导柱Ⅰ，23为凹部Ⅰ，24为突出部Ⅰ，25为螺纹接头，26为限位环Ⅰ；31为通孔Ⅱ，32为导柱Ⅱ，33为凹部Ⅱ，34为突出部Ⅱ，35为限位环Ⅱ；41为凹部Ⅲ，42为突出部Ⅲ；61为凹部Ⅳ，62为通孔Ⅲ。具体实施方式下面结合附图和实施例具体说明本专利技术。实施例1本实施例提供的适用于高温高频条件下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于包括以下步骤：/nA、将待测材料制成圆形薄片状的样品片，将样品片夹持于同轴结构的夹具的内部，将夹具的一端通过数据线与矢量网络分析仪的接口连接，控制夹持样品片的夹具温度为需要的测量温度值，通过矢量网络分析仪测量得到夹持样品片的夹具的整体反射参数，根据夹具的材料属性、尺寸参数计算得到夹具本身的阻抗值，并根据夹持样品片的夹具的整体反射参数、夹具的阻抗值计算得到的夹持样品片的夹具的整体阻抗值；/nB、根据夹持样品片的夹具的整体阻抗值、夹具本身的阻抗值计算得到样品片的阻抗值；/nC、根据样品片的阻抗值计算得到样品片的反射参数；/nD、预设补偿修正公式，将样品片的反射参数代入补偿修正公式中，计算得到补偿修正后的样品片的复介电常数；/n所述的补偿修正公式为：/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于包括以下步骤：
A、将待测材料制成圆形薄片状的样品片，将样品片夹持于同轴结构的夹具的内部，将夹具的一端通过数据线与矢量网络分析仪的接口连接，控制夹持样品片的夹具温度为需要的测量温度值，通过矢量网络分析仪测量得到夹持样品片的夹具的整体反射参数，根据夹具的材料属性、尺寸参数计算得到夹具本身的阻抗值，并根据夹持样品片的夹具的整体反射参数、夹具的阻抗值计算得到的夹持样品片的夹具的整体阻抗值；
B、根据夹持样品片的夹具的整体阻抗值、夹具本身的阻抗值计算得到样品片的阻抗值；
C、根据样品片的阻抗值计算得到样品片的反射参数；
D、预设补偿修正公式，将样品片的反射参数代入补偿修正公式中，计算得到补偿修正后的样品片的复介电常数；
所述的补偿修正公式为：



其中S'11为样品片的反射参数，ε为补偿修正后的样品片的复介电常数，ted为电延迟的时延，r为样品片的半径，n为多次反射的次数；

其中分布电感ω为角频率，μ为夹具的磁导率，电容
其中ε0为真空介电常数，RA为夹具的外管内壁的半径，RB为夹具的内柱的半径；
E、根据补偿修正后的样品片的复介电常数计算得到样品片的最终阻抗。


2.如权利要求1所述的适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于：所述的待测材料包括导体、半导体、高分子材料。


3.如权利要求1所述的适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于：
所述的步骤A中夹持样品片的夹具的整体阻抗值的计算具体为：



其中Zm为夹持样品片的夹具的整体阻抗值，Zc为夹具的阻抗值，S11为夹具及样品片的整体反射参数；



其中ε1为空气的介电常数。


4.如权利要求3所述的适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于：
所述的步骤B中样品片的阻抗值的计算具体如下：
样品片的阻抗值Zr由公式(4)计算：



其中Zr为样品片的阻抗值，l为夹具的内柱的长度；
th(x)＝[exp(x)-exp(-x)]/[exp(x)+exp(-x)]。


5.如权利要求4所述的适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于：
所述的步骤C中的样品片的反射参数S'11由公式(5)求解得到：





6.如权利要求5所述的适用于高温高频条件下的阻抗测量方法，其特征在于：
所述的步骤E中的样品片的最终阻抗Zr'的计算具体为：



其中d为样品片的厚度，s为夹具的内柱的截面积。


7.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁程华，张宇豪，
申请(专利权)人：广西科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45