一种Ge（Ⅱ）前驱体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用，所述Ge(Ⅱ)前驱体是由如式(A)、式(B)或式(C)所示的配体与锗的二氯化物通过配位作用形成的配位化合物；所述锗的二氯化物包括二氯化锗、二氯化锗水合物或二氯化锗配合物。其制备方法为在保护性气体保护下，将配体与烷基锂进行反应，得到锂盐；再将锂盐与锗的二氯化物进行反应，得到所述Ge(Ⅱ)前驱体。该制备方法制备工艺简单、条件温和、原料低廉、能耗低、经济环保，且制备得到的Ge(Ⅱ)前驱体具有优良的热稳定性、挥发性、成膜性。

A Ge (\u2161) precursor and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用
本专利技术属于微电子材料领域，具体涉及一种Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用，尤其涉及一种用于气相沉积的Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用。
技术介绍
随着信息科技的快速发展，微电子器件如存储器的性能也不断向着低压、低功耗、高速、高密度发展，随之，器件的制作工艺技术也发生了变革。全球各大半导体公司都投入巨大力量到相关技术的研发中，随着工艺节点的推进，器件结构由平板型转变为具有更低功耗的纳米限定孔型，器件尺寸的不断缩小以及器件结构深宽比的不断加大使得材料的填充面临巨大的困难。研究结果显示，当孔的尺寸小于60nm，深宽比大于1:1时，物理气相沉积(PVD)技术已经不能满足要求(该方法在沟槽开口处沉积相变材料较快，而沟槽底部较慢，会导致沟槽底部的阶梯覆盖率不佳而造成器件失效)，化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)技术成为了新的器件制作技术。在锗基砷化镓电池中，锗一方面对高波长的光线有很强的吸收作用，另一方面，锗也作为电池基底成为重要组件。但是，目前所使用的锗基底多为锗片或锗板，质地坚硬，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Ge(Ⅱ)前驱体，其特征在于，所述Ge(Ⅱ)前驱体是由如式(A)、式(B)或式(C)所示的配体与锗的二氯化物通过配位作用形成的配位化合物；/n

【技术特征摘要】
1.一种Ge(Ⅱ)前驱体，其特征在于，所述Ge(Ⅱ)前驱体是由如式(A)、式(B)或式(C)所示的配体与锗的二氯化物通过配位作用形成的配位化合物；



其中，R1、R2、R3、R4、R5分别独立地选自氢原子、烷基、烯烃基或芳基；
所述锗的二氯化物包括二氯化锗、二氯化锗水合物或二氯化锗配合物。


2.一种如权利要求1所述的Ge(Ⅱ)前驱体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)在保护性气体保护下，将配体溶于溶剂中，再加入烷基锂溶液进行反应，收集滤渣，得到锂盐固体；
(2)在保护性气体保护下，将步骤(1)得到的锂盐固体溶于溶剂中，并将其加入至锗的二氯化物溶液中，进行反应，得到所述Ge(Ⅱ)前驱体。


3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述溶剂包括烷烃类、芳香烃类或醚类有机溶剂中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(1)所述保护性气体为氮气；
优选地，步骤(1)所述配体与溶剂的质量比为1:(10-20)；
优选地，步骤(1)所述烷基锂溶液包括甲基锂溶液、正丁基锂溶液或叔丁基锂溶液中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(1)所述烷基锂溶液的溶剂为乙醚和/或正己烷；
优选地，步骤(1)所述烷基锂溶液的浓度为1.0-1.8M；
优选地，步骤(1)所述配体与烷基锂的摩尔比为1:(1-1.2)。


4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述加入烷基锂时的条件是在-78℃下搅拌；
优选地，所述搅拌的速度为800-2300r/min；
优选地，步骤(1)所述反应的时间为0.5-5h；
优选地，步骤(1)所述反应的温度为20-30℃。


5.如权利要求2-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述溶剂包括烷烃类、芳香烃类或醚类有机溶剂中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(2)所述保护性气体为氮气；
优选地，步骤(2)所述锂盐固体与溶剂的质量比为1:(10-20)；
优选地，步骤(2)所述锂盐固体与锗的二氯化物的摩尔比是1:(0.5-0.6)。


6.如权利要求2-5中任一项所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王权，刘琦，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11