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一种Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用技术
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文档序号:24666720
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本发明涉及一种Ge(Ⅱ)前驱体及其制备方法和应用,所述Ge(Ⅱ)前驱体是由如式(A)、式(B)或式(C)所示的配体与锗的二氯化物通过配位作用形成的配位化合物;所述锗的二氯化物包括二氯化锗、二氯化锗水合物或二氯化锗配合物。其制备方法为在保护性...
该专利属于东泰高科装备科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东泰高科装备科技有限公司授权不得商用。
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