一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法技术

本发明专利技术公开了一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，所述转移方法包括步骤如下：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与衬底的接触界面，使碳纳米管阵列从生长衬底上脱落，实现直立碳纳米管阵列转移到目标衬底上。本发明专利技术所述转移方法操作简单，成本低廉，技术难度小，其采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与生长衬底的接触界面，使得直立碳纳米管阵列从生长衬底上脱离，解决了直立碳纳米管无损转移的问题。

A transfer method of vertical carbon nanotube array based on laser etching

【技术实现步骤摘要】
一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法
本专利技术涉及纳米材料加工
，更具体的，涉及一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法。
技术介绍
碳纳米管属于一维纳米材料，是由石墨烯层卷曲而成的中空纳米结构，长径比极大，长度介于微米到厘米，直径可达1nm。碳纳米管因其独特的原子结构而具有优异的力学、电学和热学等性能，包括高弹性模量、高电子迁移率、高导热率等，在信息、能源、环境等纳米器件上展现了应用潜力。目前，碳纳米管的可控加工是实现器件应用和规模化生产的关键技术。碳纳米管的制备方法包括电弧放电、激光烧蚀、化学气相沉积等方法，过程需要高温环境和催化剂。目前，受制于生长条件的要求，高质量的直立碳纳米管通常在硅片、石英等衬底上容易实现。这样特定衬底的选择性，制约了碳纳米管的器件应用结构，譬如，电子和光电子纳米器件通常采用金属作为电极材料而需要直接以其作为衬底。为了满足碳纳米管在不同器件结构中的应用和在器件制备工艺兼容性的需求，转移制备技术提供了一种途径。现阶段纳米材料转移制备方法有溶液刻蚀转移法、化学转移法、焊料转移法等，尚无法满本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，其特征在于：所述转移方法包括步骤如下：/nS1：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；/nS2：采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；/nS3：采用激光透过生长衬底，直接刻蚀直立碳纳米管阵列与衬底的接触界面，使碳纳米管阵列从生长衬底上脱落，实现直立碳纳米管阵列转移到目标衬底上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，其特征在于：所述转移方法包括步骤如下：
S1：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；
S2：采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；
S3：采用激光透过生长衬底，直接刻蚀直立碳纳米管阵列与衬底的接触界面，使碳纳米管阵列从生长衬底上脱落，实现直立碳纳米管阵列转移到目标衬底上。


2.根据权利要求1所述的基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，其特征在于：所述的生长衬底包括石英、云母、高温玻璃、硅。


3.根据权利要求1所述的基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓少芝，张维明，张宇，梁庆安，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44