温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，所述转移方法包括步骤如下：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；采用激光透过生长衬底直接刻...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。