多晶硅还原炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本实用新型专利技术的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热，整个系统属于密闭系统，同时气体纯度能够保证，操作简便，安全可靠。

Polycrystalline silicon reduction furnace

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉
本技术涉及多晶硅制作
，尤其是涉及一种多晶硅还原炉。
技术介绍
相关技术中，制备高纯电子级多晶硅的生产企业基本上全部采用传统的内置石英灯的加热方式给硅芯加热，然而，此种方式较为繁琐，需要对还原炉内气体多次置换，在拆装过程中有可能其他杂质落入还原炉内，操作过程中还原炉仍需带电作业存在安全隐患，也不利于电子级多晶硅纯度提高。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉操作简便且安全可靠。本技术的另一个目的在于提出一种多晶硅还原炉的启炉方法，所述启炉方法有利于实现高阻值硅芯的启炉。根据本技术实施例的多晶硅还原炉，包括：底盘，所述底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，所述高阻值硅芯设在所述底盘上；还原炉筒体，所述还原炉筒体适于罩设在所述底盘上，所述还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，所述气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，所述物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，所述气体管道被构造成与所述气体出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：/n底盘，所述底盘上设有进气管和出气管；/n高阻值硅芯，所述高阻值硅芯设在所述底盘上；/n还原炉筒体，所述还原炉筒体适于罩设在所述底盘上，所述还原炉筒体内限定有空腔；/n气体加热器，所述气体加热器上形成有气体进口和气体出口；/n物料系统换热器，所述物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；/n气体管道，所述气体管道被构造成与所述气体出口和所述物料系统出口中的其中一个连通；/n其中，经所述气体加热器加热后的气体适于经由所述气体管道和所述进气管进入所述空腔内以加热所述高阻值硅芯。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：
底盘，所述底盘上设有进气管和出气管；
高阻值硅芯，所述高阻值硅芯设在所述底盘上；
还原炉筒体，所述还原炉筒体适于罩设在所述底盘上，所述还原炉筒体内限定有空腔；
气体加热器，所述气体加热器上形成有气体进口和气体出口；
物料系统换热器，所述物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；
气体管道，所述气体管道被构造成与所述气体出口和所述物料系统出口中的其中一个连通；
其中，经所述气体加热器加热后的气体适于经由所述气体管道和所述进气管进入所述空腔内以加热所述高阻值硅芯。


2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述气体为高纯惰性气体。


3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述高纯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉，万烨，孙强，张晓伟，张邦洁，王浩，张征，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，中国恩菲工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41