【技术实现步骤摘要】
用于双重斜波模/数转换器的比较器分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2017年9月25日、申请号为201710872237.2、专利技术名称为“用于双重斜波模/数转换器的比较器”的专利技术专利申请案。
本专利技术一般来说涉及图像传感器，且特定来说但不排他地涉及图像传感器的经增加模/数转换范围。
技术介绍
图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数码静态相机、蜂窝式电话、安全摄像机以及医学、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术一直继续快速地进展。举例来说，较高分辨率及较低功率消耗的需求已促进了这些装置的进一步小型化及集成。图像传感器常规地在像素阵列上接收光，此在像素中产生电荷。所述光的强度可影响在每一像素中产生的电荷量，其中较高强度产生较高电荷量。所述电荷可由所述图像传感器基于与参考电压信号的比较而转换成所述电荷的数字表示。所述比较可常规地由比较器执行，所述比较器提供输出作为所述电荷的所述数字表示。然而，所述比较器可能将噪声注入到所述输出中。另外，所述比较器的输出可影响到输入且导...
【技术保护点】
1.一种比较器，其包括：/n第一级，其经耦合以将参考电压与图像电荷电压信号进行比较且作为响应而提供第一输出，所述第一级包含：/n第一及第二NMOS输入晶体管，其耦合在启用晶体管与相应第一及第二共源共栅装置之间，其中所述第一及第二NMOS输入晶体管的栅极经耦合以分别接收所述参考电压及所述图像电荷电压信号；/n第一自动归零开关，其耦合在所述第一NMOS输入晶体管的所述栅极与第一节点之间，所述第一节点形成于所述第一NMOS输入晶体管与所述第一共源共栅装置之间；及/n第二自动归零开关，其耦合在所述第二NMOS输入晶体管的所述栅极与第二节点之间，所述第二节点形成于第二共源共栅装置与第...
【技术特征摘要】
20160927 US 15/277,6481.一种比较器，其包括：
第一级，其经耦合以将参考电压与图像电荷电压信号进行比较且作为响应而提供第一输出，所述第一级包含：
第一及第二NMOS输入晶体管，其耦合在启用晶体管与相应第一及第二共源共栅装置之间，其中所述第一及第二NMOS输入晶体管的栅极经耦合以分别接收所述参考电压及所述图像电荷电压信号；
第一自动归零开关，其耦合在所述第一NMOS输入晶体管的所述栅极与第一节点之间，所述第一节点形成于所述第一NMOS输入晶体管与所述第一共源共栅装置之间；及
第二自动归零开关，其耦合在所述第二NMOS输入晶体管的所述栅极与第二节点之间，所述第二节点形成于第二共源共栅装置与第二PMOS晶体管之间，其中所述第二节点为所述第一级的输出，
其中所述第一及第二NMOS输入晶体管在所述比较器的自动归零操作周期期间所耦合的所述第一及第二节点之间的电压差减少在所述比较器的ADC操作周期期间发生的回扫量。
2.根据权利要求1所述的比较器，其进一步包括经耦合以接收所述第一输出且作为响应而提供第二输出的第二级，所述第二级包含：
PMOS输入晶体管，其经耦合以在栅极处接收所述第一输出；
第一电容器，其经耦合以存储第二级参考电压；
参考电压输入，其在漏极处耦合到所述PMOS输入晶体管，且进一步在栅极处耦合到所述第一电容器；及
第一控制开关，其耦合在所述PMOS输入晶体管的所述栅极与所述第一级的第三节点之间，其中所述第一级的所述第三节点形成于所述第一共源共栅装置与第一PMOS晶体管之间，且
其中所述第一电容器响应于所述第一控制开关经启用而被充电到基于所述第一级的所述第三节点上的电压的电压。
3.根据权利要求1所述的比较器，其中所述第一及第二共源共栅装置包含NMOS晶体管，所述NMOS晶体管通过其源极及漏极耦合到PMOS晶体管，且其中所述NMOS晶体管的栅极耦合在一起，且其中所述PMOS晶体管的栅极经耦合以接收第一控制信号。
4.根据权利要求3所述的比较器，其中所述NMOS晶体管的所述栅极耦合到高参考电压。
5.根据权利要求3所述的比较器，其中所述NMOS晶体管的所述栅极通过局部取样电路耦合到共源共栅偏压电压，所述局部取样电路可控制以在模/数操作期间将所述NMOS晶体管的所述栅极与所述共源共栅偏压电压解耦。
6.根据权利要求1所述的比较器，其中所述第一及第二共源共栅装置经耦合以响应于所述比较器具有低模拟增益而被停用。
7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：海老原弘知，杨征，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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