压电薄膜谐振器制造技术

适用本发明专利技术之一实施例的压电薄膜谐振器，包括：基板；下部电极，配置在上述基板上；压电层；配置在上述下部电极上；以及，上部电极，配置在上述压电层上；其中，在上述上部电极的上侧面形成围绕谐振区域的凹凸图案。

Piezoelectric membrane resonator

【技术实现步骤摘要】
压电薄膜谐振器
本专利技术涉及一种压电薄膜谐振器。尤其涉及一种能够利用在电极上形成的多样化的凹凸图案提升谐振器特性的压电薄膜谐振器。
技术介绍
最近随着移动通信设备、化学以及生物设备的急速发展，对在通信设备中使用的小型轻量滤波器(Filter)、振荡器(Oscillator)、谐振元件(Resonantelement)、声谐振质量传感器(AcousticResonantMassSensor)等的需求也在不断增加。为了实现如上所述的小型轻量滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等，使用薄膜腔声谐振器(FilmBulkAcousticResonator，以下简称为“FBAR”)。FBAR是一种能够以最少的成本实现大批量生成的元件，不仅具有能够实现超小型的优点，还具如滤波器的主要特性即品质因数(QualityFactor，Q)值高、可在微频带使用、尤其是能够在个人通信系统(PCS，PersonalCommunicationSystem)以及数字无绳系统(DigitalCordlessSystem)频带中使用的优点。如上所述的FBAR是通过在基板上形成下部电极之后再在其上方依次形成压电层(Piezoelectriclayer)以及上部电极的方式制造，而且能够通过在上部电极上追加层叠形成框架或附加膜的方式改善FBAR的特性。但是，当利用在上部电极上层叠形成框架或附加膜的谐振器合成滤波器时，具有无法完全抑制寄生噪声(Spuriousnoise)且插入损耗恶化以及滤波器频带变窄的问题。因此，需要开发出能够减少谐振器的寄生噪声并提升谐振特性的压电薄膜谐振器，本专利技术与其相关。先行技术文献专利文献(专利文献1)韩国注册专利公报第10-1853740号(2018.04.25.)专利内容本专利技术要解决的技术课题在于提供一种能够通过在上部电极上形成图案而提升机电耦合系数(electromechanicalcouplingfactor，K2)值并减少寄生噪声(spuriousnoise)的压电薄膜谐振器。本专利技术要解决的另一技术课题在于通过单纯的制造过程制造出能够改善插入到滤波器的谐波器特性的压电薄膜谐振器。本专利技术的技术课题并不限定于上述内容中所提及的技术课题，一般的技术人员能够通过下述记载进一步明确理解未被提及的其他技术课题。适用本专利技术之一实施例的表面压电薄膜谐振器，包括：基板；下部电极，配置在上述基板上；压电层；配置在上述下部电极上；以及，上部电极，配置在上述压电层上；其中，在上述上部电极的上侧面形成围绕谐振区域的凹凸图案。在一实施例中，上述凹凸图案，能够包括：多个第1图案，以环形形状沿着上述谐振区域的周围形成。在一实施例中，谐波频率能够根据上述多个环形形状图案的厚度或间隔而互不相同。在一实施例中，上述凹凸图案，能够包括：多个第2图案，以岛屿形状沿着上述谐振区域的周围形成。在一实施例中，上述凹凸图案，还能够包括：环形形状图案，围绕上述多个岛屿形状的第2图案形成。在一实施例中，谐波频率能够根据上述第2图案的上述多个岛屿形状图案的大小或密度而互不相同。在一实施例中，上述上部电极的上述图案的垂直方向高度与上述上部电极的垂直方向高度的比例能够是1:20至3:10。在一实施例中，上述凹凸图案，沿着上述谐振区域的周围形成的最外廓图案的垂直方向高度能够高于在上述谐振区域的内侧形成的图案的垂直方向高度在一实施例中，还能够包括：保护层，配置在上述上部电极上，对形成上述凹凸图案的区域进行覆盖。在一实施例中，还能够包括：种晶层，配置在上述下部电极与上述基板之间。在本专利技术中，能够通过在上部电极中的谐振区域上形成图案而提升机电耦合系数(electromechanicalcouplingfactor，K2)值并减少寄生噪声(spuriousnoise)。此外，能够通过沿着谐振区域的周围形成图案而减少发生泄露的能量并提升谐振器特性(Qfactor)。本专利技术的效果并不限定于上述内容中所提及的效果，一般的技术人员能够通过下述记载进一步明确理解未被提及的其他效果。附图说明图1是对适用本专利技术之第1实施例的压电薄膜谐振器的截面以及上侧面进行图示的示意图。图2是对适用本专利技术之第2实施例的压电薄膜谐振器的截面以及上侧面进行图示的示意图。图3是从上部对适用本专利技术之第1实施例的压电薄膜谐振器的上部电极凹凸图案的不同厚度以及间隔形状进行观察的示意图。图4是从上部对适用本专利技术之第3实施例的压电薄膜谐振器的上部电极凹凸图案进行观察的示意图。图5是从上部对适用本专利技术之第4实施例的压电薄膜谐振器的上部电极凹凸图案进行观察的示意图。图6是对适用本专利技术之第5实施例的压电薄膜谐振器的截面进行图示的示意图。图7是对适用本专利技术之第6实施例的压电薄膜谐振器的截面进行图示的示意图。图8是对适用本专利技术之第7实施例的压电薄膜谐振器的截面进行图示的示意图。【符号说明】100：压电薄膜谐振器10：基板20：下部电极30：压电层40：上部电极A：振动部41：图案41a：第1图案41b：第2图案50：保护层60：种晶层具体实施方式接下来，将结合附图对适用本专利技术的较佳实施例进行详细的说明。本专利技术的优点以及特征及其达成方法，将通过在后续的内容中结合附图进行详细说明的实施例得到进一步明确。但是，本专利技术并不限定于在下述内容中公开的实施例，而是能够以多种不同的形态实现，所公开的实施例只是为了更加完整地公开本专利技术并向具有本专利技术所属
之一般知识的人员更加完整地介绍本专利技术的范畴而提供，本专利技术应仅通过权利要求书的范畴做出定义。在整个说明书中，相同的参考符号代表相同的构成要素。除非另有定义，否则在本说明书中所使用的所有术语(包括技术以及科学术语)的含义与具有本专利技术所属
之一般知识的人员所通常理解的含义相同。此外，除非另有明确的定义，否则不应对通常所使用的已在词典中做出定义的术语进行理想化或夸张的解释。在本说明书中所使用的术语只是用于对实施例进行说明，并不是为了对本专利技术进行限制。在本说明书中，除非另有提及，否则单数型语句还包括复数型含义。在本说明书中所使用的“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”，并不排除所提及的构成要素、步骤、动作和/或元件中有一个以上的其他构成要素、步骤、动作和/或元件存在或被追加的可能性。图1是对适用本专利技术之第1实施例的压电薄膜谐振器100的截面以及上侧面进行图示的示意图。参阅图1中的(a)，适用本专利技术的压电薄膜谐振器100包括基板10、下部电极20、压电层30以及上部电极40。基板10利用能够提供压电效果(Piezoelectriceffect)的材料制成，例如，基板10能够是硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压电薄膜谐振器，其特征在于，包括：/n基板；/n下部电极，配置在上述基板上；/n压电层；配置在上述下部电极上；以及，/n上部电极，配置在上述压电层上；/n其中，在上述上部电极的上侧面形成围绕谐振区域的凹凸图案。/n

【技术特征摘要】
20181213 KR 10-2018-01610001.一种压电薄膜谐振器，其特征在于，包括：
基板；
下部电极，配置在上述基板上；
压电层；配置在上述下部电极上；以及，
上部电极，配置在上述压电层上；
其中，在上述上部电极的上侧面形成围绕谐振区域的凹凸图案。


2.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案，包括：
多个第1图案，以环形形状沿着上述谐振区域的周围形成。


3.根据权利要求2所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述压电薄膜谐振器的谐振频率根据上述多个环形形状图案的厚度或间隔而互不相同。


4.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述凹凸图案，包括：
多个第2图案，以岛屿形状沿着上述谐振区域的周围形成。


5.根据权利要求4所述的压电薄膜谐振器，其特征在于：
上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高庸熏，金德桓，朴钟贤，
申请(专利权)人：天津威盛株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR