防倒灌电路和用电设备制造技术

本发明专利技术提供了一种防倒灌电路和用电设备，包括：功率电路、采样电路和控制电路；所述采样电路的连接输入电压Vin，并通过所述功率电路连接所述控制电路，从而控制所述控制电路中的PMOS管Q1。本发明专利技术的防倒灌电路结构简单，防倒灌效果可靠，便于推广应用。

Anti backflow circuit and electrical equipment

【技术实现步骤摘要】
防倒灌电路和用电设备
本专利技术涉及电子电路领域，具体地，涉及一种防倒灌电路和用电设备。
技术介绍
防倒灌电路应用于很多场合，他的作用就是保证各个单体电源互相独立、不出现反灌现象。二极管由于本身具有单向导电性，所以就是天然的防倒灌电路。然而，由于二极管的正向压降比较大，当输出电流很大时，电路的损耗就非常大。在一些充电电路中，当输入电压低于被充电电池电压时。电池会通过功率电感，功率MOS的内部二极管向输入电路放电。如专利文献CN110676830A公开了一种电流防倒灌电路以及智能门锁系统，该电流防倒灌电路包括：第一电流防倒灌模块、升压电路以及第二电流防倒灌模块。现有的防倒灌电路结构较为复杂，在一些低成本的设备中引用会显著增加生产成本，因而难以应用。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种防倒灌电路和用电设备。根据本专利技术提供的一种防倒灌电路，包括：功率电路、采样电路和控制电路；所述采样电路的连接输入电压Vin，并通过所述功率电路连接所述控制电路，从而控制所述控制电路中的PMOS管Q1。优选地，所述采样电路包括串联的电阻R10和电阻R13，所述电阻R10的一端连接输入电压Vin，另一端通过所述电阻R13接地。优选地，所述功率电路包括：电阻R3、比较器U2和光耦U10；所述电阻R3的一端连接输入电压Vin，另一端连接所述光耦U10中发光二极管的阳极，所述比较器U2的阳极连接在所述电阻R13与地之间，所述比较器U2的阴极连接所述光耦U10中发光二极管的阴极，所述比较器U2的参考极连接在所述电阻R10和所述电阻R13之间；所述光耦U10中光敏三极管的发射极接地，所述光耦U10中光敏三极管的集电极连接所述控制电路。优选地，所述控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R6和所述PMOS管Q1；所述电阻R6的一端连接所述光耦U10，所述电阻R1和所述电阻R2的一端并联在所述电阻R6的另一端；所述电阻R2的另一端连接电池电压Vcharge；所述电阻R1的另一端连接所述PMOS管Q1的栅极，所述PMOS管Q1的源极连接电池电压Vcharge，所述PMOS管Q1的漏极连接输入电压Vin。根据本专利技术提供的用电设备，包括上述的任一项防倒灌电路。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：本专利技术的防倒灌电路结构简单，防倒灌效果可靠，便于推广应用。VIN的输入电压>开通电压点时MOS打开输入电流经过MOS的沟道给后级电路。当输入电压低于开通电压点时，MOS关闭防止电池倒灌到VIN端。调整采样电路的参数可改变mos的开通电压点。可根据电池电压与输入电压的情况去设置。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术防倒灌电路的电路结构图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。如图1所示，本专利技术提供的一种防倒灌电路，包括：功率电路、采样电路和控制电路。采样电路的连接输入电压Vin，并通过功率电路连接控制电路，从而控制控制电路中的PMOS管Q1。采样电路包括串联的电阻R10和电阻R13，电阻R10的一端连接输入电压Vin，另一端通过电阻R13接地。功率电路包括：电阻R3、比较器U2和光耦U10。电阻R3的一端连接输入电压Vin，另一端连接光耦U10中发光二极管的阳极，比较器U2的阳极连接在电阻R13与地之间，比较器U2的阴极连接光耦U10中发光二极管的阴极，比较器U2的参考极连接在电阻R10和电阻R13之间。光耦U10中光敏三极管的发射极接地，光耦U10中光敏三极管的集电极连接控制电路。控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R6和PMOS管Q1。电阻R6的一端连接光耦U10，电阻R1和电阻R2的一端并联在电阻R6的另一端。电阻R2的另一端连接电池电压Vcharge。电阻R1的另一端连接PMOS管Q1的栅极，PMOS管Q1的源极连接电池电压Vcharge，PMOS管Q1的漏极连接输入电压Vin。本专利技术的工作原理如下：由电阻R10,R13组成的电压采样电路采集输入电压Vin。当Vin端电压>15V时，比较器U2(TL431)的阴极为低电平，光耦U10通过电阻R3提供电流，光耦的光敏三极管导通，拉低PMOS管Q1的G极为低电平，PMOS管开通，充电电流从PMOS管流过。当Vin电压<15V时U2(TL431)的阴极为高电平，逼使光耦截止，PMOS管Q1的G极通过体内二极管-R2-R1电阻提高偏压，逼使PMOS管Q1关断，从而实现在特定的范围内电流的单向性。本专利技术可适用于各类用电设备中，防止电池电压倒流到输入端。以上对本专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防倒灌电路，其特征在于，包括：功率电路、采样电路和控制电路；/n所述采样电路的连接输入电压Vin，并通过所述功率电路连接所述控制电路，从而控制所述控制电路中的PMOS管Q1。/n

【技术特征摘要】
1.一种防倒灌电路，其特征在于，包括：功率电路、采样电路和控制电路；
所述采样电路的连接输入电压Vin，并通过所述功率电路连接所述控制电路，从而控制所述控制电路中的PMOS管Q1。


2.根据权利要求1所述的防倒灌电路，其特征在于，所述采样电路包括串联的电阻R10和电阻R13，所述电阻R10的一端连接输入电压Vin，另一端通过所述电阻R13接地。


3.根据权利要求2所述的防倒灌电路，其特征在于，所述功率电路包括：电阻R3、比较器U2和光耦U10；
所述电阻R3的一端连接输入电压Vin，另一端连接所述光耦U10中发光二极管的阳极，所述比较器U2的阳极连接在所述电阻R13与地之间，所述比较器U2的阴极连接所述光耦U10中发光二极管的阴极，所述比较器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张木林，梁能，洪绍鑫，赖建岳，廖奇泊，
申请(专利权)人：北京绿能芯创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11