沟槽JBS/MPS二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种沟槽JBS/MPS二极管，包括：N+衬底层；N

【技术实现步骤摘要】
沟槽JBS/MPS二极管


[0001]本技术涉及电子元器件
，具体地，涉及一种沟槽JBS/MPS二极管。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的迅速发展,肖特基二极管(SBD)和PiN二极管为主的传统二极管己无法满足高频、大功率、低功耗的市场需求,前者击穿电压低、反向漏电大,而后者高频特性较差。由此结势垒肖特基二极管(JBS)应运而生,该结构将SBD结构和PiN结构巧妙地结合在一起,具有高耐压、低压降、小漏电、高频特性好及强抗过压和浪涌电流能力。被广泛应用于开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、变压器次级以及漏电保护(RCD)等电路中,具有巨大的应用价值和广阔的市场前景。
[0003]专利文献CN109509706A公开了一种碳化硅二极管的制备方法，利用该技术方案制备的碳化硅二极管具备基本结构及性能，但针对沟槽结构的电场集中的问题未能进行有效解决。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种沟槽JBS/MPS二极管。
[0005]根据本技术提供的一种沟槽JBS/MPS二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽JBS/MPS二极管，其特征在于，包括：N+衬底层(1)；N
‑
外延层(2)，设置于所述N+衬底层(1)的上表面，所述N
‑
外延层(2)的上部设置有沟槽(6)；P+区(3)，设置于所述沟槽(6)的底面；N+区(4)，设置于所述N
‑
外延层(2)的上表面、所述P+区(3)的上表面以及所述沟槽(6)的侧壁，位于所述P+区(3)的上表面的所述N+区(4)的部分开设有欧姆接触或肖特基接触图形，露出部分所述P+区(3)。2.根据权利要求1所述的沟槽JBS/MPS二极管，其特征在于，还包括：阳极(5)设置于所述N+区(4)的上表面，通过所述欧姆接触或肖特基接触图形与所述P+区(3)连接；阴极(7)设置于所述N+衬底层(1)的下表面。3.根据权利要求1所述的沟槽JBS/MPS二极管，其特征在于，所述N+...

【专利技术属性】
技术研发人员：马志勇，杨碧博，廖奇泊，
申请(专利权)人：北京绿能芯创电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：