【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防倒灌电路、电源及防倒灌方法
本申请涉及电子电路
，具体涉及一种防倒灌电路、电源及防倒灌方法。
技术介绍
冗余电源是指由2个及以上电源模块同时给系统设备供电的电源。高端服务器产品中普遍采用具有冗余功能的电源系统，且要求电源输出电流较大，正常工作时，所有电源板块共同为系统供电，而当其中一块或几块电源板块出现故障时，剩余的电源板块将承担所有的负载，而实现这些需要每个电源模块的输出端都设置有防倒灌电路。应用于高端服务器等场合的高性能冗余电源无论处于正常或者异常状态，防倒灌电路都是必不可少的。另一方面，传统的冗余电源系统实现方法有两种。第一种是电源模块输出母线串联二极管，然后并入输出总线，如图1所示，该方式虽然简单，但由于二极管有较大导通压降，当输出电流较大时，二极管产生较大的损耗、损失效率；第二种是针对大电流场合，通常选用Rds(导通电阻)为几个毫欧的MOSFET替代二极管，如图2所示，采用MOSFET方式，可以大幅降低导通损耗，但需要增加专用驱动控制电路，成本较高，且其目前主要针对输出60V以下的较低电压的...
【技术保护点】
1.一种防倒灌电路，其特征在于，包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管、稳压模块以及比较模块，其中：/n所述比较模块包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述比较模块的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述比较模块的第二输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接；/n所述第一MOS管用于控制所述第一电源端口和所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防倒灌电路，其特征在于，包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管、稳压模块以及比较模块，其中：
所述比较模块包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述比较模块的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述比较模块的第二输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接；
所述第一MOS管用于控制所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的导通或断开，所述比较模块用于判断所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的电平高低，所述稳压模块用于当所述防倒灌电路出现短路时，防止所述比较模块的反相输入电平过高而损坏所述防倒灌电路。
2.根据权利要求1所述的防倒灌电路，其特征在于，所述比较模块包括第一比较器，其中：
所述第一比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第一比较器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的防倒灌电路，其特征在于，所述比较模块包括第二比较器、第三比较器和参考电压控制模块，其中：
所述第二比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第二比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第二比较器的输出端与所述第三比较器的正相输入端连接，所述第三比较器的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，所述第三比较器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接。
4.根据权利要求1所述的防倒灌电路，其特征在于，所述比较模块包括第四比较器、第五比较器、参考电压控制模块和第二MOS管、第三MOS管、第一三极管和第二三极管，其中：
所述第四比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第四比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第四比较器的输出端与所述第五比较器的正相输入端连接，所述第五比较器的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，所述第五比较器的输出端与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一三极管的集电极连接，所述第二MO...
【专利技术属性】
技术研发人员：李祥，欧小电，赵德琦，吴壬华，
申请(专利权)人：深圳欣锐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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