等离子体处理系统与操作方法技术方案

本发明专利技术公开了一种等离子体处理系统与操作方法。所述等离子体处理系统包括静电吸盘(ESC)和边缘环组件(edge ring assembly)。边缘环组件(edge ring assembly)具有导电环，所述导电环被配置为产生电场以调节离子的方向。

Plasma treatment system and operation method

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理系统与操作方法
本专利技术公开总体上涉及等离子体处理系统，并且更具体地，涉及具有边缘环组件(edgeringassembly)的等离子体处理系统，边缘环组件用于在等离子体制程中弯曲/调整离子方向。本申请要求于2018年12月13日提交的美国临时专利申请号62778934的优先权，其通过引用并入本文，并且成为说明书的一部分。
技术介绍
在半导体工艺中，等离子体的离子行进方向不一致会导致等离子体在晶圆边缘区的均匀性差，以及造成离子轰击的能量变化。在等离子体处理系统的边缘环的生命周期早期或后期所制造的晶圆，常因为离子在晶圆边缘区的方向偏差而在晶圆边缘区形成倾斜的图案，以致良率下降。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种等离子体处理系统和用于操作等离子体处理系统的方法，以解决上述技术问题。一种等离子体处理系统，其包括：静电吸盘；和环绕所述静电吸盘的边缘环组件，所述边缘环组件包括：侧面围绕所述静电吸盘并具有凹槽的基环；导电环，其为具有多边形截面的环形，所述多边形截面具有从所述多边形截面的中心向外延伸的多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理系统，其特征在于，包括：/n静电吸盘；/n和环绕所述静电吸盘的边缘环组件，所述边缘环组件包括：/n侧面围绕所述静电吸盘并具有凹槽的基环；/n导电环，其为具有多边形截面的环形，所述多边形截面具有从所述多边形截面的中心向外延伸的多个凸缘，所述多个凸缘的一部分适配为容纳于所述基环的所述凹槽内；和/n可耦合在所述导电环上的盖环，所述多个凸缘的其余部分适配为被所述盖环覆盖。/n

【技术特征摘要】
20181213 US 62/7789341.一种等离子体处理系统，其特征在于，包括：
静电吸盘；
和环绕所述静电吸盘的边缘环组件，所述边缘环组件包括：
侧面围绕所述静电吸盘并具有凹槽的基环；
导电环，其为具有多边形截面的环形，所述多边形截面具有从所述多边形截面的中心向外延伸的多个凸缘，所述多个凸缘的一部分适配为容纳于所述基环的所述凹槽内；和
可耦合在所述导电环上的盖环，所述多个凸缘的其余部分适配为被所述盖环覆盖。


2.据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括耦合到所述导电环的直流电源，其中，所述直流电源的供应电压范围为0至300V，所述直流电源的频率范围为1KHz至10MHz，所述直流电源的占空比范围为10％至90％。


3.据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括耦合到所述导电环的射频电源，其中，所述射频电源的供应功率在0至500W的范围内。


4.据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述多个凸缘从所述多边形截面的中心对称地延伸，其中，所述多个凸缘中的每一个凸缘距离所述多边形截面的中心的长度在约2.5至14毫米的范围内。


5.据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述多个凸缘从所述多边形截面的中心不对称地延伸，其中，所述多个凸缘中从所述多边形截面的中心水平延伸的两个凸缘的长度短于所述多个凸缘中从所述多边形截面的中心垂直延伸的两个凸缘的长度。


6.据权利要求5所述的系统，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：具德滋，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37