【技术实现步骤摘要】
一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器
本专利技术涉及半导体加工设备领域，特别涉及一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，对半导体的制造设备提出了更高的要求，等离子体处理设备是半导体加工中最重要的设备之一，提高加工工艺的均匀性是等离子体处理设备的设计目标。在等离子体处理器中，支撑晶片的底座集成了电极、加热器以及基座，作为基片的支撑部件以及产生等离子体的电极的同时，还用于基片的温度控制。而为了提高基片温度的均匀性，将加热器分成不同加热区，对不同的加热区分别进行温度控制，随着工艺要求的不断提高，加热区的数量不断增多，从几个增加到几十个，甚至更多，这也对加热器的设计提出新的挑战。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器，易于基片多分区温度的精确控制和工业实现。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种用于基片支撑的加热装置，包括由上至下依次层叠的加热层、开关层以及控制层，其中：<...
【技术保护点】
1.一种用于基片支撑的加热装置，其特征在于，包括由上至下依次层叠的加热层、开关层以及控制层，其中：/n所述加热层包括多个平面排布的电加热单元，各所述电加热单元分别电连接于电源供应线与电源返回线之间，以构成多个电加热支路；/n所述开关层包括多个平面排布的可控加热开关单元，各所述可控加热开关单元输出端分别串联至加热层中的各所述电加热支路中；/n所述控制层包括多个开关控制单元，每个开关控制单元包括至少一个控制信号接收端，还包括一个驱动信号提供端，/n其中，各开关控制单元的控制信号接收端接收来自所述加热装置外的控制信号，各开关控制单元的驱动信号提供端为开关层中的各所述可控加热开关单...
【技术特征摘要】
1.一种用于基片支撑的加热装置，其特征在于，包括由上至下依次层叠的加热层、开关层以及控制层，其中：
所述加热层包括多个平面排布的电加热单元，各所述电加热单元分别电连接于电源供应线与电源返回线之间，以构成多个电加热支路；
所述开关层包括多个平面排布的可控加热开关单元，各所述可控加热开关单元输出端分别串联至加热层中的各所述电加热支路中；
所述控制层包括多个开关控制单元，每个开关控制单元包括至少一个控制信号接收端，还包括一个驱动信号提供端，
其中，各开关控制单元的控制信号接收端接收来自所述加热装置外的控制信号，各开关控制单元的驱动信号提供端为开关层中的各所述可控加热开关单元的驱动端提供驱动信号，所述开关控制单元接收控制信号并提供驱动信号到所述可控加热开关单元，控制所述可控加热开关单元的导通状态。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热层、所述开关层以及所述控制层间隔设置于电绝缘层中，所述电绝缘层中还设置有互联层，所述互联层用于电加热单元、电源供应线、电源返回线、可控开关单元及开关控制单元、控制信号提供端之间的电连接。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括层叠且间隔设置于加热层与开关层之间的电源供应线层和电源返回线层，所述电源供应线层用于设置电源供应线，所述电源返回线层用于设置电源返回线。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电绝缘层为陶瓷。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，各所述电加热单元分区排布。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述分区的方式为同心的矩形分区、同心的六边形分区、同心的环形分区或者阵列分区。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，其特征在于，所述控制层包括沿开关控制单元所在平面内第一方向排布的多个第一信号线以及沿所述平面内第二方向排布的多个第二信号线，每一个相交的第一信号线和第二信号线分别连接至一开关控制单元的控制信号接收端，所述第一信号线和所述第二信号线用于连接来自所述加热装置外的控制信号。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述开关控制单元为光电二极管、所述可控加热开关单元为光耦三极管；所述开关控制单元为光耦合器、所述可控加热开关单元为场效应晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，万磊，谢林，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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