半导体加工腔室及设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体加工腔室，包括能够选择性连通的第一腔室和第二腔室，还包括：压力测量器，安装在第一腔室与第二腔室之间，用于测量所述第一腔室与第二腔室之间的压力差值；第一压力控制器，设置在第一腔室的进气侧，用于根据所述压力差值增加所述第一腔室内的压力；第二压力控制器，设置在所述第一腔室的排气侧，用于根据所述压力差值降低所述第一腔室的压力。应用本实用新型专利技术可以实现对两个腔室之间压力差的精确控制，减少将工件从第一腔室转移至第二腔室过程中由于两个腔室之间的压差引起的气流扰动，避免在第一腔室进行工艺反应的工艺副产物颗粒附着在晶圆表面，从而可以减少晶圆表面的颗粒数量、提高晶圆表面质量。

Semiconductor processing chamber and equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体加工腔室及设备
本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体加工腔室及设备。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，成膜工艺是实现其核心步骤的关键技术，而成膜工艺中衡量薄膜质量的一项重要指标则是颗粒度控制。颗粒的产生主要包括工艺形成和外界引入，其中，外界引入主要指在晶圆装载过程中引入的颗粒沾污，例如采用半导体加工设备进行成膜，在晶圆完成工艺处理从工艺腔室中转至装载腔室时，由于工艺腔室与装载腔室之间存在压力差，如果不能可靠控制工艺腔室与装载腔室之间的压差，很有可能由于气流的扰动，导致工艺腔室内的工艺副产物的颗粒附着在晶圆表面，影响晶圆表面质量。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体加工腔室及设备。为实现本技术的目的，一方面提供一种半导体加工腔室，包括能够选择性连通的第一腔室和第二腔室，还包括：压力测量器，安装在第一腔室与第二腔室之间，用于测量所述第一腔室与第二腔室之间的压力差值；第一压力控制器，设置在第一腔室的进气侧，用于根据所述压力差值增加所述第一腔室内的压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工腔室，包括能够选择性连通的第一腔室和第二腔室，其特征在于，还包括：/n压力测量器，安装在第一腔室与第二腔室之间，用于测量所述第一腔室与第二腔室之间的压力差值；/n第一压力控制器，设置在第一腔室的进气侧，用于根据所述压力差值增加所述第一腔室内的压力；/n第二压力控制器，设置在所述第一腔室的排气侧，用于根据所述压力差值降低所述第一腔室的压力。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工腔室，包括能够选择性连通的第一腔室和第二腔室，其特征在于，还包括：
压力测量器，安装在第一腔室与第二腔室之间，用于测量所述第一腔室与第二腔室之间的压力差值；
第一压力控制器，设置在第一腔室的进气侧，用于根据所述压力差值增加所述第一腔室内的压力；
第二压力控制器，设置在所述第一腔室的排气侧，用于根据所述压力差值降低所述第一腔室的压力。


2.根据权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述压力测量器设置于所述第一腔室的排气管及所述第二腔室之间。


3.根据权利要求2所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述压力测量器包括压差计，所述压差计通过第一导气管与所述排气管连接，通过第二导气管与所述第二腔室连接。


4.根据权利要求3所述的半导体加工腔室，其特征在于，还包括阀门，所述阀门设置于所述第一导气管或所述第二导气管上。


5.根据权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述第一压力控制器为质量流量控制器，用于向所述第一腔室内通入气体，以增加所述第一腔室内的压力。


6.根据权利要求2所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述第二压力控制器包括泄压阀，所述泄压阀设置在所述排气管...

【专利技术属性】
技术研发人员：慕晓航，钟结实，王凯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11