【技术实现步骤摘要】
一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺
本专利技术涉及的是一种半导体行业所产生的低浓度含铜废水达标排放及高效沉降的处理工艺，属于废水处理
技术介绍
在半导体制造生产工艺中会产生多种废水，其中包括水量占比较大的含铜废水。目前，高浓度的含铜废液一般采用委外处理的方式来进行处理，低浓度的含铜废水单独排入废水处理系统进行处理。含铜废水中污染物主要有双氧水、铜离子以及络合铜，其中络合铜含量高达70％以上，加碱难以使络合铜沉淀。现有技术中含铜废水破络方式主要有臭氧催化氧化、芬顿氧化及投加重捕剂等工艺，但存在以下缺点：(1)采用臭氧工艺处理含铜废水时，臭氧利用率低，导致臭氧投加量过大，投资成本昂贵；(2)采用芬顿工艺处理低浓度含铜废水时，铁盐投加量大，污泥产生量多，对络合铜有一定去除效率，但存在出水不达标风险；(3)采用重捕剂化学沉淀时因为药剂价格高昂，单独使用重捕剂会使药剂费用大大增加；(4)经过物化处理产生的含铜污泥含水率极高，达到99％以上，含铜污泥体积较大，污泥处置费用及污泥浓缩池的投资费用较...
【技术保护点】
1.一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤：/n第一步：低浓度含铜废水进入第一反应池，投加质量浓度10％的FeSO
【技术特征摘要】
1.一种半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤：
第一步：低浓度含铜废水进入第一反应池，投加质量浓度10％的FeSO4溶液与废水中的双氧水反应，对络合铜进行氧化破络，同时Fe2+直接将络合态的铜进行置换，反应时间25～30min，FeSO4的加药量为进水中总铜质量的5～10倍；
第二步：第一反应池出水溢流进入第二反应池，在系统启动时，向第二反应池中投加氢氧化钙溶液，以维持第二反应池的pH为9～12，当系统运行至斜板沉淀池底部污泥量达到污泥回流量时，第二反应池中停止投加氢氧化钙溶液，污泥回流系统启动，在斜板沉淀池底部管道混合器进口处投加氢氧化钙溶液，废水与斜板沉淀池回流的含钙改质污泥发生反应，通过控制第二反应池的pH为9～12来反馈控制氢氧化钙的投加量，废水在第二反应池中停留时间控制在10～20min；
第三步：第二反应池出水进入第三反应池，加入重捕剂进行鳌合反应，产生含铜鳌合沉淀，进而将络合态的铜进一步去除，反应时间为15～20min，重捕剂投加量为所述第一反应池进水中总铜质量的3～5倍；
第四步：第三反应池反应结束后，废水进入第四反应池，投加聚丙烯酰胺溶液进行絮凝反应，缓慢搅拌，反应时间5～10min，聚丙烯酰胺的加药量为3～5mg/L；
第五步：污泥进入斜板沉淀池进行泥水分离，一部分污泥通过排泥泵输送至污泥储槽，另一部分污泥通过回流泵输送至管道混合器，氢氧化钙与回流污泥在管道混合器中混合均匀，形成高密度污泥，进...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗嘉豪，廖翔，付至友，王伟，董全宇，
申请(专利权)人：江苏中电创新环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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