【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法
本专利技术属于半导体晶体材料加工
,涉及一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法,具体涉及一种长度为320mm以上靶材用方形锗单晶晶片的加工方法。
技术介绍
现有靶材用锗晶片是先按方片对角线尺寸为直径拉制锗单晶,采用晶体截断机横向截断单晶,然后用内圆切片机切方并按靶材需求厚度切毛坯片,用平磨机精磨到所需晶片厚度,再用磨边机对晶片边缘倒角,从而得到所需尺寸的锗晶片。现有锗单晶方片加工工艺流程如图1所示。上述现有工艺在加工过程中存在加工尺寸受限的问题,最大加工尺寸受到最大单晶生长直径和内圆切片机有效切割行程限制,最大能加工对角线长度为320mm以下的方形锗单晶晶片,长度320mm以上的方形锗晶片目前市场上几乎没有见到,无法满足客户锗靶材市场对更大尺寸靶材的需求。
技术实现思路
针对当前的大尺寸靶材用锗晶片尺寸局限的问题,本专利技术的目的在于提供一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法,既能满足靶材用锗晶片对大尺寸的要求,又可以最大化的利用锗单晶,且加工工艺简单,易于实现批量生产 ...
【技术保护点】
1.一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法,其特征在于,所述方法包括如下:/n(1)根据靶材用锗单晶方片的宽度尺寸为直径拉制锗单晶晶棒;/n(2)按照靶材用锗单晶方片的长度将所述晶棒截断;/n(3)采用线切割机纵向切取毛坯片:沿线切割机的进刀方向纵向放置所述晶棒,依次启动线切割机纵向切掉晶棒的各侧面宽度达不到要求的部分;再将所述晶棒切片获得毛坯方片;/n(4)将上述毛坯方片进行平面研磨,获得所述靶材用锗单晶方片所要求的厚度尺寸;/n(5)对上述方片边缘倒角,使方片达到最终图纸要求的尺寸。/n
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法,其特征在于,所述方法包括如下:
(1)根据靶材用锗单晶方片的宽度尺寸为直径拉制锗单晶晶棒;
(2)按照靶材用锗单晶方片的长度将所述晶棒截断;
(3)采用线切割机纵向切取毛坯片:沿线切割机的进刀方向纵向放置所述晶棒,依次启动线切割机纵向切掉晶棒的各侧面宽度达不到要求的部分;再将所述晶棒切片获得毛坯方片;
(4)将上述毛坯方片进行平面研磨,获得所述靶材用锗单晶方片所要求的厚度尺寸;
(5)对上述方片边缘倒角,使方片达到最终图纸要求的尺寸。
2.如权利要求1所述的一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法,其特征在于,所述步骤(1),晶棒的直径要大于靶材用锗单晶方片的宽度尺寸,晶棒的长度要大于靶材用锗单晶方片的长度尺寸。
3.如权利要求1或2所述的一种大尺寸靶材用锗晶片的加工方法,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:秦瑶,陆海凤,李刚,王卿伟,王铭捷,彭大文,
申请(专利权)人:中锗科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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