【技术实现步骤摘要】
一种抛光垫的修整轮及修整装置
本专利技术涉及抛光
，具体涉及一种抛光垫的修整轮及修整装置。
技术介绍
为了去除成型工艺中双面研磨工艺产生的硅片表面损伤，并将硅片表面做成镜面，在加工过程中，装载硅片的游星轮和抛光盘接触，然后依照内齿轮与外齿轮的旋转比率旋转，同时，通过供应的研磨砂浆与硅片表面产生化学反应，并且在旋转和加压的作用下产生物理反应，以此来进行硅片表面的研磨。双面抛光工艺进行中，硅片与砂浆产生化学反应，而抛光垫和硅片摩擦产生研磨残留物质，如果持续加工，抛光盘的形态将会发生变化，例如表面变成凹面或凸面，从而导致后续硅片加工后平坦度恶化，这是影响硅片表面平坦度的一个主要因素。双面抛光加工中砂浆在循环利用时会被过滤，但过滤后剩下的副产物仍将继续循环，这些副产物的积累将进一步导致硅片平坦度发生变化。连续抛光加工时由于抛光垫表面变形，导致硅片中心及边缘部分研磨不均匀，使得硅片的平坦度恶化，而且还会影响到后续最终抛光工艺。如果不对抛光垫的表面的进行管理，直接连续进行抛光工艺，并将抛光后的硅片流入后续工艺的话，严重时将...
【技术保护点】
1.一种抛光垫的修整轮，其特征在于，包括：/n圆形基板，所述基板上开设有至少一个安装孔；/n固定于所述安装孔内的修整环，所述修整环的修整面间隔设有若干螺旋条纹。/n
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫的修整轮，其特征在于，包括：
圆形基板，所述基板上开设有至少一个安装孔；
固定于所述安装孔内的修整环，所述修整环的修整面间隔设有若干螺旋条纹。
2.根据权利要求1所述的修整轮，其特征在于，相邻两条所述螺旋条纹的间隔为15mm～25mm。
3.根据权利要求1所述的修整轮，其特征在于，所述螺旋条纹的宽度为1mm～2mm，所述螺旋条纹的高度为1mm～2mm。
4.根据权利要求1所述的修整轮，其特征在于，所述基板采用氯化聚氯乙烯材料制成，所述修整环采用碳化硅陶瓷材料制成。
5.根据权利要求1所述的修整轮，其特征在于，所述修整环的外直径为300mm～305mm，所述修整环的内直径为150mm～155mm，所述修整环的厚度为20mm～25mm。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晟佑，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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