一种延长抛光布使用寿命的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种延长抛光布使用寿命的处理方法，包括以下步骤：(1)刷盘刷布：将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上，用抛光机的压力头压住刷盘，刷盘与抛光机大盘旋转方向相同；(2)高压水冲洗：用高压水冲洗抛光布表面，用高压水把整张抛光布冲洗一遍；(3)修整环研磨：将修整环放置在抛光布上，用抛光机的压力头压住修整环，修整环与抛光机大盘旋转方向相同，修整环研磨抛光布的时间为10s～5min；然后使修整环与抛光机大盘旋转方向相反，压力范围、转速范围和超纯水流量范围都不变，继续研磨抛光布10s～5min。本发明专利技术的方法对抛光布使用寿命的延长效果非常显著，可有效延长抛光布的使用寿命，且始终不会影响硅衬底抛光片的几何形貌水平。

A treatment method for prolonging the service life of polishing cloth

【技术实现步骤摘要】
一种延长抛光布使用寿命的处理方法
本专利技术涉及一种延长抛光布使用寿命的处理方法，属于半导体材料

技术介绍
用于化学机械抛光(CMP)的抛光布，普遍采用聚氨酯材料，加工成无纺布结构并密布了微小孔洞。配合含有碱性胶体二氧化硅颗粒的抛光液来完成机械研磨和化学腐蚀交替作用的过程。该过程极易使胶体二氧化硅颗粒抱团凝结，堵塞抛光布表面的微小孔洞，使抛光布失去机械研磨的作用。传统改善抛光布使用寿命的方法，或者采用机械或化学的方式清除抛光布表面孔洞中的堵塞物，或者使用修整环将抛光布磨薄一层，把堵塞层整个磨掉。前一种清除方式不能有效去除抛光布表面孔洞中的堵塞物，抛光布使用寿命始终维持在几十个小时左右。后一种方法效果显著，但会改变抛光布表面的平整度，进而影响硅衬底抛光片的几何形貌，使产品无法达到客户要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可有效延长抛光布使用寿命的处理方法，且不影响硅衬底抛光片的几何形貌水平。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种延长抛光布使用寿命的处理方法，包括以下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种延长抛光布使用寿命的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)刷盘刷布：将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上，用抛光机的压力头压住刷盘，压力范围为60～200kg，抛光机大盘转速为15～60rpm，刷盘转速为15～60rpm，刷盘与抛光机大盘旋转方向相同，抛光布上超纯水流量为1～20L/min，刷盘刷布的频率为抛光机每运行1～5个批次刷布一次，每次刷布时间为10s～5min；/n(2)高压水冲洗：用高压水冲洗抛光布表面，高压水压强为10～20MPa，所用高压水为超纯水，高压水喷口距离抛光布5～50mm，用高压水把整张抛光布冲洗一遍；高压水冲洗抛光布的频率为抛光机每运行5～10个批次...

【技术特征摘要】
1.一种延长抛光布使用寿命的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)刷盘刷布：将刷盘放置在贴好抛光布的抛光机盘面上，用抛光机的压力头压住刷盘，压力范围为60～200kg，抛光机大盘转速为15～60rpm，刷盘转速为15～60rpm，刷盘与抛光机大盘旋转方向相同，抛光布上超纯水流量为1～20L/min，刷盘刷布的频率为抛光机每运行1～5个批次刷布一次，每次刷布时间为10s～5min；
(2)高压水冲洗：用高压水冲洗抛光布表面，高压水压强为10～20MPa，所用高压水为超纯水，高压水喷口距离抛光布5～50mm，用高压水把整张抛光布冲洗一遍；高压水冲洗抛光布的频率为抛光机每运行5～10个批次冲洗一次；
(3)修整环研磨：将修整环放置在抛光布上，用抛光机的压力头压住修整环，压力范围为60～100kg，抛光机大盘转速为15～60rpm，修整环转速为15～60rpm，修整环与抛光机大盘旋转方向相同，抛光布上超纯水流量为1～20L/min，修整环研磨抛光布的时间为10s～5min；然后使修整环与抛光机大盘旋转方向相反，压力范围、转速范围和超纯水流量范围都不变，继续研磨抛光布10s～5min；修整环研磨的频率为抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：林霖，史训达，李彦君，刘云霞，陈克强，杨少昆，周莹莹，李奇，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11