调节装置及调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法制造方法及图纸

一种用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置，包括具有开口的基座及可移除地附接至基座的调节盘。调节盘包括：调节部分，安置在基座的第一表面上；以及配合部分，可移除地配合至基座的开口中或穿过基座的开口。配合部分穿过开口配合至基座或在开口中配合至基座，以防止调节盘在调节用于化学机械研磨制程的研磨垫的制程期间自基座脱落。

Adjustment device and method of adjusting grinding pad for chemical mechanical grinding

【技术实现步骤摘要】
调节装置及调节用于化学机械研磨的研磨垫的方法
本揭露是关于用于调节在化学机械研磨中使用的研磨垫的调节装置及其调节方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit；IC)中的关键特征的尺寸已在不断减小，并且执行高解析度微影制程的需求亦在增长。因此，用于微影的辐射的焦点深度亦已减小。需要控制原子级的晶圆平坦化的精度。举例而言，对于28nm、22nm、16nm及10nm技术的典型景深需求接近埃级。当然，这些仅为实例且不欲为限制性。在晶圆制造期间，最常使用化学机械研磨(Chemicalmechanicalpolishing；CMP)来在微影制程开始时提供原子级平坦表面。另外，随着微影的发展及微影复杂性的增加，CMP的其他应用领域得到了发展。例如，最近，使用CMP以通过研磨诸如铝、铜及钨等的金属层来平坦化浅沟槽。典型CMP工具包括由面朝上的垫覆盖的旋转平台。将待研磨的晶圆置放在载体上，其中待研磨的表面朝下。在垫上安置化学研磨浆且晶圆(亦即，待研磨的表面)与垫接触。通常在相对方向上旋转平板及载体，同时额外使载体振荡。垫与晶圆表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种调节装置，用于调节在化学机械研磨中使用的一研磨垫，其特征在于，该调节装置包含：/n具有一开口的一基座；以及/n可移除地附接至该基座的一调节盘，该调节盘包含：/n一调节部分，安置在该基座的一调节表面上，以及/n一配合部分，配合至该基座的该开口中或穿过该基座的该开口，/n其中该配合部分防止该调节盘在用于该化学机械研磨的该研磨垫的一调节制程期间自该基座脱落。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,916;20191024 US 16/663,2311.一种调节装置，用于调节在化学机械研磨中使用的一研磨垫，其特征在于，该调节装置包含：
具有一开口的一基座；以及
可移除地附接至该基座的一调节盘，该调节盘包含：
一调节部分，安置在该基座的一调节表面上，以及
一配合部分，配合至该基座的该开口中或穿过该基座的该开口，
其中该配合部分防止该调节盘在用于该化学机械研磨的该研磨垫的一调节制程期间自该基座脱落。


2.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，该基座包括多个开口，以接收该配合部分的一部分。


3.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，该调节盘的该配合部分包括一紧固件。


4.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，通过一搭扣配合机构将该配合部分配合至该基座。


5.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，通过一磁铁搭扣锁将该配合部分配合至该基座。


6.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，该调节盘进一步包括一更换调节盘。


7.一种调节用于化学机械研磨的一研磨垫的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄君席，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71