化学机械抛光机台制造技术

本实用新型专利技术公开一种化学机械抛光机台，用于在线检测抛光垫下方气泡，该化学机械抛光机台包括：基座，用于粘贴一抛光垫；调节盘，用于研磨抛光垫，所述调节盘耦合一垫高度感应装置，以监测调节盘的高度变化，当调节盘的高度变化超过一预定值，将抛光垫从基座上剥离，再另粘贴一抛光垫。其中在线侦测抛光垫下方气泡的方法是：将抛光垫粘贴在该基座上，进行抛光垫磨合，利用调节盘研磨抛光垫，在抛光垫磨合过程中，以垫高度感应装置监测调节盘的高度变化，当调节盘的高度变化超过一预定值，将抛光垫从基座上剥离，再另粘贴一抛光垫，如此达到在线自动检测抛光垫下方气泡，以提高效率及可靠性。

Chemical mechanical polishing machine

【技术实现步骤摘要】
化学机械抛光机台
本技术涉及半导体制作工艺
，特别是涉及一种化学机械抛光(CMP)机台及工艺。
技术介绍
已知，在半导体制作工艺中，半导体晶片常需要进行抛光或研磨，以形成平坦化的晶片表面。上述抛光研磨步骤通常是通过化学机械抛光(CMP)机台及工艺来完成，其主要是利用化学活性浆料(chemicallyactiveslurry)配合抛光垫(polishingpad)对晶片表面进行抛光。在CMP工艺中，通过限制抛光垫和晶片之间的间隙，使浆料在晶片表面上产生机械作用。抛光垫能让浆料的研磨组分与晶片表面接触，并达到规则和恰当的机械研磨作用。此外，抛光垫的表面需要保持一定的粗糙度，以能在所需速度进行直接机械研磨动作，并且能在抛光垫表面上提供一定的空间以便输送浆料。为了确保CMP工艺的性能和一致性，抛光垫通常每天更换。抛光垫放置在CMP机台的基座上，并通过抛光垫背面上的黏合剂固定到基座上。当抛光垫放置在基座上时，空气气泡容易被捕陷在黏合剂和基座之间。被捕陷的气泡可能在抛光垫的抛光面上造成凸起，这可能导致微刮痕和晶片报废。过去处理的方式是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光机台，用于在线检测抛光垫下方气泡，其特征在于：该化学机械抛光机台包括：/n基座，用于粘贴一抛光垫；/n调节盘，用于研磨所述抛光垫，其中所述调节盘耦合一垫高度感应装置，以监测所述调节盘的高度变化，当所述调节盘的高度变化超过一预定值，将所述抛光垫从所述基座上剥离，再另粘贴一抛光垫。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光机台，用于在线检测抛光垫下方气泡，其特征在于：该化学机械抛光机台包括：
基座，用于粘贴一抛光垫；
调节盘，用于研磨所述抛光垫，其中所述调节盘耦合一垫高度感应装置，以监测所述调节盘的高度变化，当所述调节盘的高度变化超过一预定值，将所述抛光垫从所述基座上剥离，再另粘贴一抛光垫。


2.如权利要求1所述的化学机械抛光机台，其特征在于，所述预定值为0.1mm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：林士杰，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35