一种真空等离子处理设备及其处理腔体制造技术

技术编号:24607277 阅读:111 留言:0更新日期:2020-06-23 22:13
本发明专利技术公开了一种真空等离子处理设备及其处理腔体,包括气缸、上腔体和下腔体,所述上腔体内设有第一空腔,第一空腔的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩,所述下腔体内设有第二空腔,所述第二空腔内设有电极,所述电极电极的上方及侧面设有绝缘片,电极的下端设置绝缘底板,所述气缸与上腔体连接,气缸带动上腔体上下滑动,所述电极的下端连接电极馈入件,本发明专利技术的真空等离子处理设备及其处理腔体适用范围广泛,可以大范围的用于半导体、摄像头、指纹模组等流水线制成设备的架设处理要求,采用上下腔体的结构,在下电极的周围设置绝缘层,被处理物体表面造成损伤或者二此次污染,降低二次污染及批量式清洗可能出现的损伤几率。

A vacuum plasma treatment equipment and its chamber

【技术实现步骤摘要】
一种真空等离子处理设备及其处理腔体
本专利技术涉及等离子处理
,特别涉及一种真空等离子处理设备及其处理腔体。
技术介绍
真空等离子体清洗工艺,是指在真空腔体里,通过电极,在一定的压力情况下产生高能量的无序等离子体,通过等离子体轰击被清洗产品,也就是物体表面,以达到清洗目的的一种等离子体表面处理工艺。半导体衬底、引线框架、集成电路板是现今半导体生产流程各个阶段的产品,在生产过程中,常常都需要利用到真空等离子体表面处理设备来清洗表面。因此这些产品都是常见的真空等离子清洗的物体。现有的真空等离子清洗机都是单机式的,无法与上下段加工设备对接,整个生产过程需要对产品来回搬运。生产时无法对产品进行跟踪并监控生产信息,在生产搬运过程中,很容易造成产品的损伤和材料损失,加大了生产成本,同时费时费力,增大了整体生产线设备的占地面积;且真空箱体都是由腔体和电极板构成,在正常的清洗工作中,容易对被处理物体表面造成损伤或者二此次污染,影响处理良率。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本专利技术提供了一种真空等离子处理设备及其处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空等离子处理设备及其处理腔体,其特征在于:包括上腔体(2)和下腔体(3),所述上腔体(2)内设有第一空腔(4),第一空腔(4)的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩(5),所述下腔体(3)内设有第二空腔(6),所述第二空腔(6)内设有电极(7),所述电极(7)的上方及侧面设有绝缘片(8),电极(7)的下端设置绝缘底板(9),所述电极(7)的下端连接电极馈入件(10)。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空等离子处理设备及其处理腔体,其特征在于:包括上腔体(2)和下腔体(3),所述上腔体(2)内设有第一空腔(4),第一空腔(4)的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩(5),所述下腔体(3)内设有第二空腔(6),所述第二空腔(6)内设有电极(7),所述电极(7)的上方及侧面设有绝缘片(8),电极(7)的下端设置绝缘底板(9),所述电极(7)的下端连接电极馈入件(10)。


2.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体,其特征在于:还包括一腔体升降装置(1),所述腔体升降装置(1)与上腔体(2)连接,腔体升降装置(1)带动上腔体(2)上下滑动,所述腔体升降装置(1)为气缸,所述上腔体(2)的上端设有气缸连接件(11),所述气缸连接件(11)与气缸主轴(12)连接,气缸通过气缸连接件(11)带动上腔体(2)上下垂直运动。


3.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体,其特征在于:所述第一腔体(3)上设有外部气体进气口(13),所述外部气体进气口(13)处设有气体流量计,所述第二腔体(6)上设有真空抽气口(14)。


4.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体,其特征在于:所述下腔体(3)上两边设有定位导轨(15),中间设有若干调节导轨(16),调节导轨(16)通过设置在下腔体(3)上的滑槽(17)滑动设置在下腔体(3)上,调节导轨(16)与定位导轨(15)之间形成可以放置电极(7)的传输轨道,在传输轨道的进料端和出料端设有光电传感器。


5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘善石
申请(专利权)人:昆山索坤莱机电科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1